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作者:Xie M. X. (UESTC,成都市)
* 发射极开路时的反向漏电流ICBO:
这实际上就是集电结的反向漏电流,与单个p-n结的反向饱和电流基本上相同,理想情况下都是少子的扩散电流;只是BJT中的ICBO一般要比单个p-n结的反向饱和电流稍大一些(因为基区宽度很窄,基区中少子的浓度梯度较大一些)。
对于实际的BJT,集电结内部和表面的产生中心(有害杂质或缺陷)所引起的电流往往起很大的作用。
* 基极开路时的反向漏电流ICEO:
这可看成是发射极接地、输入端(基极)开路时器件的反向漏电流,又称为穿透电流。
这时由于集电结反偏,通过的电流即是很小的ICBO;但是又由于发射结正偏,BJT是处于放大状态,有一定的放大作用(电流放大系数为β),因此通过器件的电流就成为了β×ICBO+ICBO,这就是ICEO。所以,BJT的ICEO要比ICBO大得多。
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GMT+8, 2024-10-20 02:54
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