相变存储器 (PCRAM) 具有微缩性好、可三维集成、擦写速度快、与新型COMS工艺相兼容等优点，正以变革计算机框架的存储型内存(Storage Class Memory) 角色进入主流存储器市场。英特尔认为3D PCRAM (3D Xpoint) 是 “自1989年NAND问世以来，时隔25年取得新突破”，其速度和寿命都是NAND的1000倍。

尽管如此，相变存储器的快速可逆相变机理仍未有共识，而机理的阐明是发现与设计新材料，进一步实现高速、低功耗、长寿命、高数据保持力相变存储器的关键。最近一项研究工作提出的八面体基元理论揭示了亚纳秒相变机理的奥秘。

研究相关的论文题为“From octahedral structure motif to sub-nanosecond phase transitions in phase change materials for data storage”，为近期即将出版在 SCIENCE CHINA Information Sciences 2018年第61卷第8期的综述，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠研究员撰写。

作者回顾了相变存储器的发展历史及各国科学家对可逆相变机理的研究与认识过程，总结了十五年相变存储器的研发经验，特别是自主研发Ti-Sb-Te与Sc-Sb-Te相变材料, 提出八面体原子基元理论。

这一理论对于开发自主新型相变材料具有重要的指导意义，将会极大地推动相变存储器研发与产业化的进程。

文章出版信息:

From octahedral structure motif to sub-nanosecond phase transitions in phase change materials for data storage.

Zhitang SONG, Sannian SONG, Min ZHU, et al. 

Sci China Inf Sci, 2018, 61(8): 081302

http://scis.scichina.com/en/2018/081302.pdf

http://engine.scichina.com/publisher/scp/journal/SCIS/doi/10.1007/s11432-018-9404-2

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