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《SOI——纳米技术时代的高端硅基材料》林成鲁

已有 4325 次阅读 2012-3-11 17:43 |个人分类:校友文库|系统分类:科研笔记| 硅基材料, SOI

丛书名:当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书——中国科学技术大学校友文库
(“十一五”国家重点图书出版规划项目)
出版日期:2009年6月
出版社:中国科学技术大学出版社
正文页码:484页(16开)
字数:500千
定价:88.00元
编辑邮箱:edit@ustc.edu.cn(欢迎来索要目录、样章的PDF)
 

内容简介

绝缘体上硅(silicon on insulatorSOI)技术在高速、低压低功耗电路、高压电路、抗辐射、耐高温电路、微机械传感器、光电集成等方面具有重要应用,是微电子和光电子领域发展的前沿,被国际上公认为"二十一世纪的硅集成电路技术"。本书收集的纳米技术时代的高端硅基SOI材料方面的研究论文40篇,主要内容包括: SOI——纳米技术时代的高端硅基材料进展, SOI新材料的制备科学, SOI材料与器件特有的物理效应,绝缘体上锗硅(silicon germanium on insulator, SGOI)新结构和应变硅的制备科学,SOI技术的若干应用研究等。书中论文包含了高端硅基材料前沿领域的多方面创新研究成果。本书可作为微电子、光电子、微机械、半导体材料、纳米材料等专业的大专院校师生和专业技术人员重要的参考书,也可以作为信息领域其他专业的师生、科研人员和工程技术人员参考资料。

 

作者简介
林成鲁,1965年毕业于中国科学技术大学,现为中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师,上海新傲科技有限公司总工程师。长期从事高端硅基半导体新材料的研究,在SOI技术方面历经研发-工程化-产业化数十年坚持不懈的努力工作,为我国SOI技术的发展和应用作出了重要贡献,是我国SOI技术的带头人之一。上世纪八十年代,作为SOI项目负责人,在国内率先开展SOI技术基础研究;九十年代,作为SOI创新项目总设计师,组织领导突破SOI材料工程化的关键技术;2001年开始,作为新傲公司总工程师和创业团队主要人员,成功实现研究成果转化,打破了国外的技术封锁,建成国内唯一的SOI材料工业化生产线,为大幅度提高我国抗辐射微电子的性能打下了基础,实现了我国微电子材料的跨跃式发展,取得了重大的经济和社会效益。作为高级访问学者多次出国,与国际上SOI研究处于领先地位的英国Surrey大学、德国马普微结构物理研究所等开展实质性的合作研究。在国内外刊物上发表论文300余篇,其中被SCI收录的论文240余篇,被他人引用620余次。申请的国家发明专利16项,其中已授权9项。曾获得国家科技进步一等奖、上海市科技进步一等奖、中国科学院自然科学二等奖等十项奖励。先后承担国家攻关、“973”“863”等多项国家重大项目,现为上海市科教兴市重大产业科技攻关项目《高端硅基材料研发和产业化》的技术负责人。



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