丛书：《半导体芯片国际前沿》

出版日期：2022年7月

字数：741千+770千

出版社：中国科学技术大学出版社

书号（ISBN）：978-7-312-05239-2；978-7-312-05240-8

定价：168.00元+158.00元

页码：552页+540页

编辑邮箱：edit@ustc.edu.cn    

微信号：15055113738

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《半导体物理学.上册》试读.pdf

《半导体物理学.下册》试读.pdf

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【编辑荐语】

全面介绍半导体物理和器件的基本知识和现代应用。

【内容简介】

本书介绍了半导体物理和半导体器件，包括固体物理、半导体物理、各种半导体器件的概念及其在电子学和光子学中的现代应用。全书包括三部分内容：半导体物理学的基础知识（第1—10章）、专题（第11—20章）与半导体的应用和器件（第21—24章）。

第1章介绍半导体物理学的历史沿革，按照时间顺序给出历史上半导体相关的重要时刻和事件。第2—10章讲述半导体物理学的基础知识，包括：化学键、晶体、缺陷、力学性质、能带结构、电子的缺陷态、输运性质、光学性质、复合过程。

第11—20章是专题，包括：表面、异质结构、二维半导体、纳米结构、外场、极性半导体、磁性半导体、有机半导体、介电结构、透明导电的氧化物半导体。

第21—24章是半导体的应用和器件，包括：二极管、电光转换器件、光电转换器件、晶体管。

本书内容丰富（除了24章正文以外，还有11个附录），图文并茂（大约有1000张图片和表格），参考资料丰富（大约有2200篇参考文献），经过多年教学实践的检验，是一本优秀的教科书。本书可以在没有或者只有很少固体物理学和量子力学知识的基础上学习，适合研究生和高年级本科生学习，也可以作为半导体科研人员的参考书。

【作者简介】

Marius Grundmann，德国莱比锡大学物理学教授，研究领域包括薄膜、纳米结构、基于氧化物材料和碘化铜的透明器件、异质结构和微腔。

【译者简介】

姬扬，博士，研究员，博士生导师。在中国科学技术大学获得学士和硕士学位，1998年在中国科学院半导体研究所获得理学博士学位，在以色列魏兹曼研究所做了4年博士后。自2002年起，在中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室工作，从事半导体自旋物理学方面的实验研究。发表过多篇学术论文，已经翻译出版过5本学术著作和1本社科著作。

【图书特色】

（1）英文原版是国际经典著作，中文版根据英文版第4版（2021年,Springer）翻译。

（2）内容丰富（24章正文+11个附录），图文并茂（1000多张图表+26面彩插），参考资料翔实（约2200篇参考文献）。

（3）涵盖半导体物理学的历史沿革、基本知识、专题讨论以及半导体的应用和器件。

（4）无需固体物理学和量子力学的基础即可学习本书，适合本科生和研究生，也可作为半导体科技人员的参考书。

【图书目录】

第1章 简介

1.1 大事年表

1.2 诺贝尔奖得主

1.3 一般信息

第1部分  基础知识

第2章 键

2.1 简介

2.2 共价键

2.3 离子键

2.4 混合键

2.5 金属键

2.6 范德华键

2.7 固体的哈密顿算符

第3章 晶体

3.1 简介

3.2 晶体结构

3.3 格子

3.4 重要的晶体结构

3.5 多型性

3.6 倒格子

3.7 合金

第4章 结构缺陷

4.1 简介

4.2 点缺陷

4.3 位错

4.4 扩展的缺陷

4.5 无序

第5章 力学性质

5.1 简介

5.2 晶格振动

5.3 弹性

5.4 塑性

第6章 能带结构

6.1 简介

6.2 周期势里的电子

6.3 一些半导体的能带结构

6.4 半导体带隙的分类

6.5 合金半导体

6.6 非晶半导体

6.7 带隙的温度依赖关系

6.8 带隙的同位素依赖关系

6.9 电子的色散关系

6.10 空穴

6.11 能带反转

6.12 应变对能带结构的影响

6.13 态密度

第7章 电子的缺陷态

7.1 简介

7.2 载流子密度

7.3 本征电导

7.4 掺杂

7.5 浅缺陷

7.6 准费米能级

7.7 深能级

7.8 电荷中性能级

7.9 半导体里的氢

第8章 输运

8.1 简介

8.2 电导率

8.3 低场输运

8.4 高场输运

8.5 高频输运

8.6 杂质带输运

8.7 极化子

8.8 跳跃输运

8.9 非晶半导体里的输运

8.10 离子输运

8.11 扩散

8.12 连续性方程

8.13 热传导

8.14 热和电荷的耦合输运

第9章 光学性质

9.1 光谱区和概述

9.2 复介电函数

9.3 反射和折射

9.4 吸收

9.5 由光学声子导致的介电函数

9.6 电子-光子相互作用

9.7 带-带跃迁

9.8 杂质吸收

9.9 有自由电荷载流子存在时的吸收

9.10 晶格吸收

第10章 复合

10.1 简介

10.2 带-带复合

10.3 激子复合

10.4 声子伴线

10.5 自吸收

10.6 施主-受主对的跃迁

10.7 内杂质复合

10.8 俄歇复合

10.9 能带-杂质复合

10.10 ABC模型

10.11 场效应

10.12 扩展缺陷处的复合

10.13 过剩载流子的分布

第2部分  专题

第11章 表面

11.1 简介

11.2 表面晶体学

11.3 表面能

11.4 表面的重构

11.5 表面的形貌

11.6 表面的物理性质

第12章 异质结构

12.1 简介

12.2 异质外延

12.3 异质结构里的能级

12.4 量子阱里的复合

12.5 同位素超晶格

12.6 晶片键合

第13章 二维半导体

13.1 石墨烯和相关材料

13.2 二维化合物半导体

13.3 范德华异质结构

第14章 纳米结构

14.1 简介

14.2 量子线

14.3 碳纳米管

14.4 量子点

第15章 外场

15.1 电场

15.2 磁场

第16章 极化半导体

16.1简介

16.2自发极化

16.3铁电性

16.4压电性

第17章 磁性半导体

17.1简介

17.2磁性半导体

17.3稀磁半导体

17.4自旋电子学

第18章 有机半导体

18.1简介

18.2材料

18.3电子结构

18.4掺杂

18.5输运性质

18.6光学性质

第19章 介电结构

19.1光子带隙材料

19.2微共振腔

第20章 透明导电的氧化物半导体

20.1简介

20.2材料

20.3性质

第3部分  应用

第21章 二极管

21.1简介

21.2金属-半导体接触

21.3金属-绝缘体-半导体二极管

21.4双极型二极管

21.5应有和特殊的二极管器件

第22章 光电转换

22.1光催化

22.2光电导

22.3光电二极管

22.4太阳能电池

第23章 电光转换

23.1辐射计量学的量和光度学的量

23.2闪烁体

23.3发光二极管

23.4激光器

23.5半导体光学放大器

第24章 晶体管

24.1简介

24.2双极型晶体管

24.3场效应晶体管

24.4 JFET和MESFET

24.5 MOSFET

24.6薄膜晶体管

附录A 张量

附录B 点群和空间群

附录C 克拉默斯-克罗尼格关系

附录D 振子强度

附录E 量子统计

附录F 克罗尼格-彭尼模型

附录G 紧束缚模型

附录H  k·p微扰理论

附录I 有效质量理论

附录J 玻尔兹曼输运理论

附录K 噪声

参考文献