最近科学日报上一篇关于“中国年耗数以万亿计电容电阻，高端产品均来自日本”的文章引起热议。

      首先这篇文章内容讲了一个残酷事实，但是更残酷的背后的事实是上文所说的MLCC电容实际用到的半导体材料是钛酸钡系列钛酸盐，这一技术我们在1999年就有突破，采用络合全新的工艺方法制备了钛酸钡粉体材料。国家标准关于钛酸钡材料检测方法是根据1960年代日本论文上的方法，国外早就淘汰很多年了。完全不适用于高端半导体材料，所以我们在2005年就在中国科技论文在线网上发论文网文指出国内现有钛酸钡标准是针对纯钛酸钡粉体材料的，并不适应高端新一代低温烧结工艺的钛酸钡纳米粉体的检测，高端MLCC电容半导体用钛酸钡粉体是一个中间体材料，是为了适应高端微型化MLCC电容低温900度烧结工艺发展起来的，用现有国家标准检测反而成了不合格产品。但是这一观点和看法过去十多年了，我曾经向科技部和相关国家标准部门反映多次，科技部领导换届都有几次了，也未有回应。我在科学网上前几年有两篇博文都曾经谈及此钛酸钡半导体材料检测问题，但是回应的人不多。只有几个业内同行认同高端钛酸钡纳米粉体半导体材料，并不是传统意义的纯钛酸钡材料（中国国家标准却是依据这点来制定的），而是一个为了适应MLCC电容的低温烧结工艺，而制造出来的一个钛酸钡晶体形成过程中的过渡态中间体材料，从晶态上讲完全是一个中间体，并不是纯的钛酸钡晶体。可惜过了这么多年，竟然这一观点始终无法有很多技术人员认同，更不用说官员了。我们的技术研发也因此争议无以为继，这些年中国在此领域进口器件估计有数千亿了，我心痛。后来导致我转而研发NTC电阻用半导体材料。