ZnS具有较高的红外透过率及优良的光、热学性能，是良好的飞行器及激光器窗口材料，在光电子方面也有很广泛的应用前景，比如激光发生器和基于非线性光学性质基础上的光学仪器。近年来，ZnS一维纳米结构（纳米管，纳米带，纳米线）受到了广泛关注。就半导体而言，能带是一个非常重要的参数。改变能带的大小或者结构将扩宽这种材料在光电领域的应用范围。ZnS基的三元复合合金（比如Zn_xCd_1-xS）是一个非常好的选择。目前，人们在Zn_xCd_1-xS薄膜和量子点方面的研究工作比较多，而对于一维结构的合成和设计方面的工作非常少。我们采用气相传输沉积的两步方法在镀金的硅片上制备了组分均一的ZnxCd1-xS单晶一维纳米结构。此纳米结构的近带发射随着组分x的变化而变化，即我们可以通过调变Zn和Cd的组成来调控材料的发光性能。并且通过改变蒸发温度和加入ZnS的量进而改变ZnS蒸汽的浓度，可以控制ZnS纳米带模板的宽度，达到调整ZnxCd1-xS纳米结构的宽度的目的。通过较高温度的退火，能够减少晶体缺陷和晶体内的应力，达到提高近带发射的目的。相关结果发表在Crystal Growth & Design, 9(11), pp 4602-4606, 2009上。