（接前文：在适当的时候换个研究方向http://www.sciencenet.cn/blog/user_content.aspx?id=26498）

    确定了研究方向后，我就开始考虑制备高比表面积碳化硅的方法。从文献结果看，法国斯特拉斯堡大学勒都（Ledoux）等人提出的“形状记忆合成”方法在制备高比表面积碳化硅方面比较成功。这种方法的本质就是将气相的一氧化硅渗入到活性炭中，与活性炭反应，将活性炭转化成碳化硅。由于是气相的一氧化硅和固相的活性炭在接触面反应，因此得到的碳化硅应该具有和活性炭表面类似的特征，如丰富的孔结构、较高的比表面积等。

    详细内容见 http://blog.sciencenet.cn/m/user_content.aspx?id=201196