有没有新的方式呢？Sony在2005年公开了用电阻变化做存储器（ReRAM）的基本专利（Resistive Random Access Memory）。这是利用两类物质的氧化还原反应（电子的迁移）改变电阻机制的存储器。这类材料在上个世纪九十年代里就有了。这个机制的极端情况就是二极管：正向电压导通（低电阻），逆向电压不通（高电阻）。但是在具有PN结的二极管材料里没有顺电压和逆电压带来的物质态的变化，因此二极管可以整流。而在ReRAM的材料里顺电压和逆电压会带来高电阻和低电阻的状态需变化。申请基本专利并不需要指定具体物质，只要把握住设计原理就可以了。如今的ReRAM可以比闪存的读取速度高百、千倍，又快、又省电。因此今后的手机、电脑将会好用得多。

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就“是”论事儿，就“事儿”论是，就“事儿”论“事儿”。