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封面文章
具有快响应速度和低暗电流的垂直MSM型CsPbBr3薄膜光电探测器
程学明,崔文宇,祝鲁平,王霞,刘宗明,曹丙强
物理学报, 2024, 73(20):208501
doi: 10.7498/aps.73.20241075
卤化物钙钛矿具有优异的电学和光学性能,是光电子器件中理想的有源层候选材料,特别是在高性能光探测方面显示出更具竞争力的发展前景,其中全无机钙钛矿CsPbBr3因其良好的环境稳定性而被广泛关注。本文报道了一种具有快响应速度和低暗电流的垂直MSM型CsPbBr3薄膜光电探测器。由于采用垂直结构缩短了光生载流子的渡越距离,器件具有超快的响应速度63 μs,比传统平面MSM型光电探测器提高了两个数量级。然后,通过在p型CsPbBr3与Ag电极之间旋涂一层TiO2薄膜,提升了界面光生载流子的分离效率,实现了钙钛矿薄膜与金属电极间的物理钝化,从而大大降低了器件的暗电流,在–1 V的偏压下暗电流只有–4.81×10–12 A。此外,该种垂直MSM型CsPbBr3薄膜光电探测器还具有线性动态范围大(122 dB)、探测率高(1.16×1012 Jones)和光稳定性好等诸多优点。通过Sentaurus TCAD模拟发现,电荷传输层可以选择性的阻挡载流子传输,从而起到降低暗电流的作用,Sentaurus TCAD模拟结果与实验数据吻合,揭示了电荷传输层降低器件暗电流的内在物理机制。
图3 (a) 不同界面缺陷态密度下垂直结构CsPbBr3薄膜光电探测器模拟暗电流曲线;(b) 加入一层NiOx薄膜后,CsPbBr3/NiOx薄膜器件总电流、电子电流和空穴电流的模拟I-V 曲线图;(c) 加入一层TiO2薄膜后,CsPbBr3/TiO2薄膜器件总电流、电子电流和空穴电流的模拟I-V曲线图;(d)—(f) 与图(a),(b),(c)对应的光电探测器件内部电流分布图
同行评价
基于钙钛矿的光电探测器是目前科学研究的热点。论文报道了一种具有快响应速度和低暗电流的垂直CsPbBr3薄膜光电探测器,通过在CsPbBr3薄膜和Ag电极之前加入一层TiO2薄膜,提升了界面光生载流子的分离效率,从而减低了器件的暗电流。论文中还应用TCAD软件模拟了电荷传输层的效果,分析了TiO2对降低暗电流的影响,开展了一些有意义的讨论。
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观点和展望
塑性热电材料研究进展及展望
徐波,田永君
物理学报, 2024, 73(20):206201
doi: 10.7498/aps.73.20241129
近年来,以Ag2S为代表的塑性热电材料研究取得显著进展。该类材料因具有较低的滑移势垒和较高的解理能,表现出优异的室温塑性,并可通过固溶优化实现塑性和热电性能的协同提升。最新研究表明,Mg3Bi2基单晶材料在塑性变形能力和室温热电性能方面综合表现更佳。微观结构表征及理论计算分析揭示了位错滑移在Mg3Bi2单晶塑性变形过程中的关键作用,特别是多个滑移系表现出较低的滑移势垒。这些发现不仅深化了对塑性热电材料微观变形机制的理解,还为优化材料性能和开发新型柔性热电器件奠定了重要基础。未来将这些材料应用于实际器件仍面临热稳定性、化学稳定性和界面接触等挑战,这些问题的解决将推动塑性热电材料在柔性电子领域的应用。
图2 Mg3Bi2单晶塑性和热电性能[18] (a) Mg3Bi2单晶与其他材料的压缩应力应变曲线对比;(b) Mg3Bi2单晶与部分密排六方金属及塑性热电材料的拉伸应力应变曲线对比;(c) 传统热电材料的拉伸应力应变曲线;(d) 变形后的Mg3Bi2单晶材料;热电材料功率因子(e)和热电优值(f)与相应的最大拉伸应变 ([18] Zhao P, Xue W, Zhang Y, Zhi S, Ma X, Qiu J, Zhang T, Ye S, Mu H, Cheng J, Wang X, Hou S, Zhao L, Xie G, Cao F, Liu X, Mao J, Fu Y, Wang Y, Zhang Q 2024 Nature 631 777)
同行评价
文章简要概述了塑性热电材料研究进展,指出了该领域未来的研究方向和关键挑战,选题前沿,学术价值高。
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观点和展望
莫尔超晶格中的分数化拓扑量子态
刘钊
物理学报, 2024, 73(20):207303
doi: 10.7498/aps.73.20241029
带有分数化准粒子激发的分数量子霍尔态是一种奇特的强关联拓扑量子物态,自1982年在强磁场二维电子气中被首次观测到以来一直是凝聚态物理重要的前沿方向。去年来,有多个团队在基于过渡金属硫族化合物和石墨烯的莫尔超晶格中观测到了零磁场分数量子霍尔效应,在莫尔超晶格中还发现了分数量子自旋霍尔效应的迹象。这表明莫尔超晶格体系能够有效调控能带及相互作用,是在零磁场条件下实现分数化拓扑量子态的理想平台。本文简要论述了与此相关的研究进展和存在的挑战,并对该领域未来可能的发展方向做出展望。
同行评价
本文回顾了近期在莫尔超晶格过渡金属硫化物和莫尔石墨烯体系中分数化拓扑物态的实验和理论进展,着重讨论转角MoTe2中观测到的疑似分数量子自旋霍尔态的实验工作,并对该领域未来的研究方向做了展望,是对该领域非常及时的简短综述。
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专题:少电子原子分子精密谱
少电子离子束缚态电子g因子精密测量
屠秉晟
物理学报, 2024, 73(20):203103
doi: 10.7498/aps.73.20240683
少电子离子束缚态电子g因子的精密测量是借助原子分子体系研究束缚态量子电动力学(QED)理论的有效途径。特别是在高电荷态重核体系中,原子核与内壳层电子之间极强的电磁相互作用为研究极端电磁场环境下的QED效应提供了独一无二的条件。通过精确测量束缚态电子g因子,还可以分析核效应、测定核结构参数、确定基本物理常数等。少电子离子束缚态电子g因子的研究已经成为精密谱学方向的前沿课题。潘宁离子阱(借助稳态电磁场囚禁离子的系统)是进行g因子测量的有效实验装置之一。本综述将对基于潘宁离子阱开展少电子离子束缚态电子g因子的实验研究进行全面回顾,介绍基本实验原理与测量方法,重点论述该领域在近几年中的重要实验成果,并对未来发展进行简要展望。
图1 自由电子g因子最低阶QED修正的费曼图描述,直线代表自由传播的电子,三角形表示电磁场而曲线表示电子与电磁场作用中的虚光子 (a)自能效应;(b)真空极化效应
同行评价
g因子是原子和分子的基本结构参数,对其精密测量可以揭示电子关联效应、高阶QED效应,检验强场束缚态QED理论等。德国美因茨大学与马克斯普朗克核物理研究所已经基于潘宁阱装置多种高电荷态离子的g因子,实验精度高达10-11,已经远远超过了理论计算精度。但是国内有关潘宁阱装置的建设以及g因子的测量相对滞后,该论文详细综述了g因子的测量方法和发展过程,及其目前存在的问题,是一篇很好的综述性文章。
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专题:少电子原子分子精密谱
高电荷态类硼离子2P3/2—2P1/2跃迁的实验和理论研究进展
刘鑫,汶伟强,李冀光,魏宝仁,肖君
物理学报, 2024, 73(20):203102
doi: 10.7498/aps.73.20241190
高电荷态离子(highly charged ion,HCI)的精细结构及辐射跃迁性质的精确测量不仅可以检验基本物理模型,包括:强场量子电动力学(quantum electrodynamics,QED)效应、电子关联效应、相对论效应、原子核效应等,而且能够为天体物理和聚变等离子体物理提供关键原子物理参数。相对于研究较多的类氢和类锂离子体系,类硼离子的精细结构禁戒跃迁的相对论效应和QED效应的贡献很大,高精度实验测量与理论计算为进一步检验多电子体系的基本物理模型提供了重要途径。此外,类硼离子也被认为是最佳的高电荷态离子光钟候选体系。本文主要介绍了类硼离子基态2P3/2—2P1/2跃迁的实验和理论研究最新进展,概述了其精细结构和超精细结构的研究现状,并讨论了使用电子束离子阱结合高分辨光谱学实验技术开展类硼离子超精细分裂实验测量的方案,为未来开展类硼离子超精细分裂实验研究并在更高精度上检验QED效应,提取原子核磁化分布半径,检验相关的核结构模型等研究提供了参考。
图1 类硼离子结构示意图(以核自旋为1/2的类硼离子为例)
同行评价
高电荷态离子在检验物理效应方面具有天然的优势,比如相对论效应、高精度光钟等,本文全面评述了高电荷离子的精细结构及辐射跃迁性质的最近进展,包括实验和理论方面的进展,对检验强场量子电动力学效应、电子关联效应、相对论效应、原子核效应等具有基础的重要性,同时,完整的基础数据对天体物理和聚变等离子体物理研究也有重要的应用。介绍的类硼离子基态 2P3/2—2P1/2 跃迁的实验和理论研究最新进展全面系统,对其精细结构和超精细结构研究现状的了解全面,可为将来进一步的工作提供有益的参考。
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专题:少电子原子分子精密谱
原子兰姆位移与超精细结构中的核结构效应
计晨
物理学报, 2024, 73(20):202101.
doi: 10.7498/aps.73.20241063
精密原子光谱实验和理论在测量基本物理常数和检验量子电动力学理论中起着关键作用,同时为研究原子核内部结构和发展高精度核结构理论提供重要观测平台。许多原子光谱实验中,核结构效应如电荷分布、磁矩分布和核极化度已被精确测定,大大提高了核结构检测的精度。本文系统论述了关于轻质量电子原子与缪子原子兰姆位移和超精细结构中的双光子交换效应的理论框架与研究发展。着重介绍了先进的核力模型和核结构第一性原理计算方法在上述问题中的应用。轻质量原子中双光子交换效应的理论研究对于从原子光谱测量中确定核电荷半径和Zemach半径具有重要作用。这些研究结果不仅能加深对原子核内部结构以及核子-核子相互作用的理解,还为未来实验提供重要的理论指导,推进对质子半径难题以及其他轻核半径测量问题的理解。
图1 轻子-原子核系统中的双光子交换费曼图,从左至右依次对应箱图、交叉图与海鸥图. 波浪线、细直线、粗直线与椭圆分别对应光子、轻子、核基态与核激发态
同行评价
原子光谱实验所涉及的能标通常只在eV量级,但是精度很高,所以在研究亚原子物理的所谓强度前沿上有重要的价值。本文主要介绍了以兰姆位移和超精细结构为探针,来研究原子核结构的相关理论与实验。为匹配实验数据的高精度,作者强调了双光子交换的角色,并以氘核为例,讨论了无π介子有效场论在核结构计算中的应用。论文结合最新的实验,以及state of art的理论计算,深入浅出地进行了介绍。
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专题:少电子原子分子精密谱
锂离子精密光谱与核结构信息
管桦,戚晓秋,陈邵龙,史庭云,高克林
物理学报, 2024, 73(20):204203.
doi: 10.7498/aps.73.20241128
锂离子精密光谱为束缚态量子电动力学的验证以及原子核结构的研究提供了独特的平台。本文综述了实验和理论联合研究团队近年来对6,7Li+离子3S1和3PJ 态超精细劈裂的高精度理论计算与实验测量的研究成果。在理论方面,理论团队采用束缚态量子电动力学方法对3S1和3PJ 态的超精细劈裂进行了计算,精确至mα6阶。在实验方面,实验团队分别通过饱和荧光光谱法和光学Ramsey方法对7Li+和6Li+离子的超精细劈裂进行了高精度测量,并由此提取了6,7Li核的Zemach半径。结果显示,6Li的Zemach半径与核模型计算值存在显著差异,揭示了6Li核的奇异特性。这不仅为原子核结构的探索提供了重要信息,也将进一步推动少电子原子和分子的精密光谱研究。
图1 Li+离子束源装置图
同行评价
锂离子精密光谱数据为验证量子电动力学和原子核结构研究有重要科学意义,本文从理论和实验两个方面研究6Li和7Li离子精密谱,有重要的学术价值。在理论方面,采用束缚态量子电动力学方法超精细劈裂计算至 mα6 阶;在实验方面,分别通过饱和荧光光谱法和光学 Ramsey 方法对 7Li+ 和 6Li+ 离子的超精细劈裂进行了高精度测量。研究结果显示6Li 的 Zemach 半径与核模型计算值存在显著差异,揭示了 6Li 核的奇异特性,为原子核结构的探索提供了重要信息。
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专题:少电子原子分子精密谱
基于冷分子离子HD+振转光谱的精密测量
张乾煜,白文丽,敖致远,丁彦皓,彭文翠,何胜国,童昕
物理学报, 2024, 73(20):203301.
doi: 10.7498/aps.73.20241064
由一个质子、一个氘核和一个电子组成的氢分子离子“HD+”是最简单的异核双原子分子,其有着丰富的、可精确计算和测量的振转跃迁谱线。通过HD+振转光谱实验测量和理论计算的对比,可实现物理常数的精确确定,量子电动力学理论的检验,并开启了超越标准模型新物理的探寻。目前,HD+的振转跃迁频率确定的相对精度已经进入了10–12量级,并由此获得了当前最高精度的质子电子质量比,相对精度达到20 ppt (1 ppt = 10–12)。本文全面介绍了目前HD+振转光谱的研究现状与理论背景,阐述了基于Be+离子协同冷却HD+分子离子的高精度振转光谱测量方法,包括Be+离子和HD+分子离子的产生与囚禁,HD+外态冷却与内态制备,双组分库仑晶体中HD+数目的确定,以及HD+振转跃迁的探测。最后,文章展望了进一步提高频率测量精度的光谱前沿技术,及同位素氢分子离子的振转光谱在未来研究中的发展前景。
图1 质子电子质量比常数测量
同行评价
文章整体回顾了近年来HD+分子离子振转光谱的实验测量发展,详细地阐述了HD+分子离子振转光谱的物理意义,并对HD+分子离子振转光谱实验测量技术,从离子产生囚禁、态控制、冷却、到离子探测等主要部分进行了系统的描述,非常好地综述了少电子原子分子体系中HD+分子离子的精密测量工作,具有很高的参考价值。
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专题:少电子原子分子精密谱
极紫外波段的少电子原子精密光谱测量
肖峥嵘,张恒之,华林强,唐丽艳,柳晓军
物理学报, 2024, 73(20):204205.
doi: 10.7498/aps.73.20241231
基于少电子原子体系的精密光谱测量为 “质子半径之谜”、量子电动力学高精度检验等重大科学问题的解决带来曙光,因此备受关注。然而,少电子体系许多重要的跃迁谱线位于真空/极紫外波段,缺少合适的窄线宽光源是阻碍其测量精度进一步提升的主要原因之一。近年来,基于稀有气体高次谐波过程产生的极紫外窄线宽相干光源为精密测量这些跃迁谱线带来了新的机遇。最新研究表明,极紫外光梳的最短波长可至12 nm,最高功率可至mW量级,线宽可至0.3 MHz;而极紫外波段的拉姆齐光梳亦可以实现kHz量级的光谱精度,且其工作波长有潜力覆盖整个极紫外波段。本文重点介绍少电子原子极紫外波段精密光谱测量相关技术方法与研究进展。首先简要介绍基于少电子原子体系精密光谱测量的科学意义;随后介绍极紫外波段少电子原子体系精密光谱测量方法,即基于极紫外光梳的直接频率梳光谱方法和极紫外波段的拉姆齐频率梳光谱方法;然后介绍利用这些方法开展少电子原子体系精密光谱实验测量以及相关精密谱理论计算方面的研究进展,以及这些方法在其他相关研究中面临的重要机遇;最后给出未来工作展望。
图1 直接频率梳光谱方法原理示意图 (a)重复频率和相位精确锁定的飞秒脉冲;(b)频率域对应的梳齿;(c)原子能级
同行评价
本文围绕少电子原子跃迁频率精密测量领域当前面临的机遇与挑战,详细介绍了极紫外波段精密频率梳光谱、极紫外波段少电子原子精密谱测量及相关真空/极紫外波段精密光谱测量等研究方向国内外的最新进展,展望了这些方向的发展趋势,是一篇不可多得的综述文章。
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编辑推荐 综述
基于高阶非厄密物理的磁共振无线电能传输研究进展
王利凯,王宇倩,郭志伟,江海涛,李云辉,羊亚平,陈鸿
物理学报, 2024, 73(20):201101.
doi: 10.7498/aps.73.20241079
近年来,基于宇称-时间(parity-time,PT)对称的非厄密物理机制在磁谐振式无线电能传输(wireless power transfer,WPT)领域取得了显著进展。非厄密物理不仅有效地解释了当前WPT领域基于电路理论分析的主要实验结果,而且为进一步提升WPT器件的传输效率、距径比、鲁棒性等方面提供了全新的原理支撑。本文主要综述了基于PT对称、高阶PT对称、高阶Anti-PT对称等条件下的高效稳定磁谐振式WPT的研究进展,揭示了非厄密物理在该领域的独特作用机制及重要应用。最后对非厄密物理在WPT领域的应用前景进行了展望。
图1 (a) 感应式和谐振式模型及能量分布;(b) 谐振式模型的传输特性;(c) 频率随距离劈裂现象(电路方程解);(d) 非厄密物理PT对称相图(哈密顿量解)
同行评价
本文围绕国际前沿的非厄密物理课题,聚焦于其在无线电能传输的技术的实际应用,有助于帮助人们更加深刻的了解非厄密物理PT对称和WPT研究在未来的发展。
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具有不同扩散系数的活性手征粒子分离
李晨璞,吴魏霞,张礼刚,胡金江,谢革英,郑志刚
物理学报, 2024, 73(20):200201.
doi: 10.7498/aps.73.20240686
近几年对活性粒子的研究已成为很多领域研究者关注的重要课题之一,其中关于活性手征粒子的相分离问题具有重要的理论和实际意义。本文通过朗之万动力学研究了具有不同扩散系数的活性手征粒子组成的二元混合系统中粒子的相分离。较小的相对扩散系数有利于“冷”粒子形成大的团簇而分离,较大的相对扩散系数则会减弱分离效果。由于粒子特征(自驱动速度、自转角速度)和相对扩散系数对粒子间碰撞作用的影响,系统要使“冷”“热”粒子达到相分离,自驱动速度和自转角速度的增大(或减小)不能同步,自驱动速度的相对变化率要小于自转角速度的相对变化率。通过分析“冷”粒子有效扩散系数的变化,系统相分离现象得到了很好的解释。有效扩散系数较小意味着“冷”粒子会聚集形成较大的团簇,系统可出现相分离现象,而当有效扩散系数较大时“冷”粒子的扩散较强,不会形成大的团簇产生相分离。另外,随着粒子填充率的增大“冷”粒子最大团簇粒子数占比曲线进行先增大后减小的非单调变化,每条曲线存在一段最优粒子填充率宽度。相对扩散系数和自驱动速度的增大,会使曲线的最优填充率宽度变窄并向右偏移。
图2 不同的v0和ω时“冷”粒子最大团簇粒子数占比P随相对扩散系数D的变化曲线
同行评价
活性粒子因具有热平衡物质所没有的新颖性质而在物理、生物及化学等领域备受关注,论文通过朗之万动力学方程研究了扩散系数对活性手征粒子组成的二元混合系统中粒子的相分离的影响,是一个有意义的课题,并获得了一些有意义的结果。
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单层SnS场效应晶体管的第一性原理研究
郭颖,潘峰,姚彬彬,孟豪,吕劲
物理学报, 2024, 73(20):207304.
doi: 10.7498/aps.73.20241004
基于硅基材料的逻辑器件由于其短沟道效应,使摩尔定律失效,二维半导体材料被认为是继续缩小晶体管尺寸以生产更多摩尔电子器件的潜在沟道材料。最近在实验上突破了技术瓶颈的限制,实现了二维场效应晶体管突破亚1 nm沟道极限,并且表现出优异的器件性能。这极大地鼓舞了在理论上进一步探索二维器件的性能。二维SnS具有较高的载流子迁移率和各向异性的电子性能,且材料性能环境稳定。本文应用第一性原理研究了亚5 nm SnS 场效应晶体管的量子输运特性,鉴于SnS的各向异性,本文将器件沿单层SnS的armchair和zigzag两个方向进行构造,发现p型zigzag方向的器件性能优于其他类型(包括n型、p型的armchair方向和n型的zigzag方向)。p型zigzag方向器件的开态电流在栅长缩短到1 nm也能满足国际半导体技术路线图的高性能(HP)器件要求,其值高达1934 μA/μm。这在目前报道的1 nm栅长上的器件材料性能方面处于领先。
图6 n型和p型MOSFET在HP标准下亚5 nm栅长下的开态电流与ML二维沟道材料有效质量的关系,所有数据均采基于密度泛函理论的量子输运模拟计算
同行评价
作者采用第一性原理计算的方法,研究了单层 SnS 场效应晶体管的器件性能极限,发现其p型器件在 1 nm 栅长也能满足国际半导体技术路线图的要求,其值高达 1934 μA/μm。
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NWC人工甚低频台站信号产生“条缕状”准捕获电子能谱的模拟研究
刘阳希子,项正,周晨,倪彬彬,董俊虎,胡景乐,王建行,郭浩智
物理学报, 2024, 73(20):209401.
doi: 10.7498/aps.73.20240975
遍布全球的人工甚低频台站发射的信号主要用于对潜通信,在夜间,这些信号可以泄漏进磁层与内辐射带中几十至几百keV电子发生回旋共振,从而导致电子沉降。这一过程是导致内辐射带电子损失的重要原因,也是磁层-电离层耦合过程中能量和物质输运的重要环节。被台站信号散射的电子呈现出能量随L增加而减小的“条缕状”能谱结构,与台站信号和电子的一阶回旋共振能量曲线相符。低轨卫星可以对“条缕状”能谱结构进行清晰地观测,为研究近地空间波粒相互作用提供了重要契机。本文基于Drift-Diffusion-Source模型,复现了DEMETER卫星于2009年3月19日多个轨道测量的NWC台站信号导致的“条缕状”能谱,量化了NWC台站信号对辐射带电子的散射作用,明晰了NWC台站信号的幅度和传播角,揭示了内辐射带电子漂移过程中的动态变化规律,为开发人工影响辐射带技术提供了重要理论参考。
图1 卫星不同轨道在L = 1.7处观测的电子赤道投掷角,黑色虚线表示使用IGRF磁场模型计算的局地弹跳损失锥大小,红色虚线表示漂移损失锥大小
同行评价
本文利用准线性理论和Drift-Diffusion-Source模型,模拟研究了NWC台站信号散射电子所形成的“条缕状”电子能谱,模拟结果较好复现了DEMETER卫星于2009年3月19日的观测结果。研究同时也探讨了NWC台站信号的波动传播角及背景等离子体密度对模拟结果的影响,发现当波动传播角及背景等离子体密度取特定值时可以获得与观测更接近的模拟结果。研究方法得当,结果合理可信,有助于加深对辐射带中波粒相互作用效应的理解,也为发展人工影响辐射带技术提供了重要的理论基础。
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编辑推荐 综述
面向类脑计算的低电压忆阻器研究进展
贡以纯,明建宇,吴思齐,仪明东,解令海,黄维,凌海峰
物理学报, 2024, 73(20):207302.
doi: 10.7498/aps.73.20241022
忆阻器是非易失性存储器和神经形态计算的优秀候选者。电压调制作为其关键性能策略,是获得纳瓦超低功耗、飞焦超低能耗工作的基础,有助于打破功耗墙、突破后摩尔时代算力瓶颈。然而基于高密度集成忆阻器阵列的类脑计算架构还需重点考虑开/关比、高速响应、保留时间和耐久性等器件稳定性参数。因此如何在低电场下实现离子/电子的高效、稳定驱动,构筑电压低于1 V的低电压、高性能忆阻器成为了当前实现类脑计算能效系统的关键问题。本文综述了近年来面向类脑计算的低电压忆阻器的研究进展。首先,探讨了低电压忆阻器的机制,包括电化学金属化机制和价态变化机制。在此基础上,系统总结了各材料体系在低电压忆阻器中的优势,涵盖了过渡金属氧化物、二维材料和有机材料等。进一步围绕材料工程、掺杂工程、界面工程提出了相应的低电压忆阻器实现策略,最后,展望了基于低电压忆阻器的类脑功能模拟及神经形态计算应用,并对现存问题和未来研究方向进行了讨论。
图1 综述框架示意图
同行评价
作者介绍了近年来面向类脑计算的低电压忆阻器的研究进展,探讨了低电压忆阻器的机制,并在此基础上总结了各材料体系在低电压忆阻器中的优势,进一步围绕材料工程,掺杂工程,界面工程提出了相应的低电压忆阻器实现策略,并对现存问题和未来研究方向进行了讨论。文章内容详实,有较好的参考价值。
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《物理学报》2024年第20期全文链接:
https://wulixb.iphy.ac.cn/custom/2024/20
《物理学报》2020—2024年电子期刊,点击下图即可阅读。
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