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EXPRESS LETTER
NMR Evidence for Universal Pseudogap Behavior in Quasi-Two-Dimensional FeSe-Based Superconductors
B. L. Kang (康宝蕾), M. Z. Shi (石孟竹), D. Zhao (赵丹), S. J. Li (李顺姣), J. Li (李建), L. X. Zheng (郑立玄), D. W. Song (宋殿武), L. P. Nie (聂林鹏), T. Wu (吴涛), and X. H. Chen (陈仙辉)
Chin. Phys. Lett. 2022, 39 (12): 127401
DOI: 10.1088/0256-307X/39/12/127401
文章亮点
实验证实了在一系列具有准二维电子结构的有机离子插层铁硒基超导体中普适性地存在与超导涨落相关的赝能隙行为。这一工作对理解高温超导体中的赝能隙现象提供了重要的实验依据。
具有代表性的高温超导体材料体系其电阻率各向异性𝜌𝑐/𝜌𝑎𝑏与层间距离d之间关系的总结性相图。从块体铁硒到有机离子插层的铁硒基超导体,电阻率各向异性极大增强,表明有机离子的插层使铁硒基超导体实现了从三维到二维的渡越。
准二维铁硒基超导体中普适赝能隙行为的核磁共振实验证据
研究背景
长期以来,高温超导体中的赝能隙现象是凝聚态物理领域的热点研究课题,理解赝能隙现象被认为是阐明高温超导机理的关键之一。在铜氧化物高温超导体中,由于电子的预配对,在超导转变温度之上会形成由超导涨落所导致的赝能隙区间。但因为铜氧化物超导体中还存在着其他丰富的电子有序态,所以对于赝能隙现象的起源仍然存在很大的争议。铁基超导体的发现尤其是单层铁硒薄膜的出现为研究这一问题带来了新的契机。作为二维极限下的铁硒基超导体,单层铁硒薄膜奇特的超导性质预示着其中可能存在与铜氧化物超导体类似的赝能隙现象。但由于薄膜样品的诸多限制,许多与赝能隙相关的物性测量研究无法开展,例如核磁共振等。因此,具有准二维性质的有机离子插层铁硒基超导体为探索铁基超导体中与超导涨落相关的赝能隙现象提供了一个绝佳的块体材料实验平台。
内容简介
最近,中国科学技术大学陈仙辉团队吴涛教授等人利用电化学插层技术获得了一系列具有高超导转变温度和强各向异性的准二维铁硒基高温超导体,并利用核磁共振、电输运测量等手段在其中观测到了与超导涨落相关的赝能隙现象。作为结构最简单的铁基超导体,铁硒由基本结构单元 Fe2Se2 层沿c 轴方向直接堆垛而成,层间以弱的范德华力连接。通过有机离子的电化学插层,这些铁硒基超导体的超导转变温度可以达到40 K以上,并且具有非常强的二维性质,其电阻率各向异性高达104–105。核磁共振测量表明,这一系列铁硒基超导体均在超导转变温度之上的一定区间内表现出相似的赝能隙行为,且赝能隙行为的起始温度约为60 K。为了进一步明确赝能隙行为与准二维电子结构之间的关系,研究团队总结了更多具有代表性的铁基超导体和铜氧化物超导体的电阻率各向异性值,并绘制了总结性相图。这些结果进一步证明了在有机离子插层的铁硒基超导体中,由超导涨落导致的赝能隙行为的出现与准二维电子结构密切相关。
研究意义和重要性
该工作揭示了通过电化学插层技术获得的有机离子插层铁硒基超导体中普适性地存在与准二维电子结构密切相关的赝能隙行为,不仅为理解二维极限下单层铁硒薄膜中奇特的超导性质打开了新的思路,也为理解高温超导体中的赝能隙现象提供了重要的实验依据。
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