高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，HEMT）具有超高速、低功耗与低噪声等优点，被广泛地应用于高频信号处理、卫星通信、微波与毫米波器件等领域，因此研制出高效的HEMT器件对于我国电子信息技术的发展具有极其重要的意义；借助于TCAD设计软件，研究人员能够直观地对器件内部工作机理进行分析并设计出各类新型架构，省时、省力、省财地制备更高性能的HEMT器件。

　 近期，基于Crosslight公司先进的半导体仿真设计平台，我司技术团队为国内某高科技公司创新性地开发出了HEMT 3D结构计算模型，并实现了测试数据与计算数据的精确拟合 【见下图】。 该计算模型充分考虑与深度优化了极化模型、载流子隧穿模型、缺陷模型、界面态模型、低/高场迁移率模型等关键模型，能够准确地复现实际HEMT器件的真实工作状态。此项目获得到了该公司技术人员充分的认可与肯定，为进一步实现国产高端HEMT器件的自主研发与制备提供了重要的借鉴意义。

HEMT输出特性曲线