大家好，本周小赛给大家介绍的是《涨知识啦》系列内容：肖特基势垒二极管(SBD)基本的电流输运机制。 

  图1展示了SBD外加正向偏置时，器件内部的能带及载流子输运机制。其中，编号1-5分别为：

 1. 热激发电流 （半导体一侧的电子跨过势垒进入金属）

 2. 隧穿电流   （电子隧穿通过势垒）

 3. 复合电流   （耗尽区中的电子空穴发生复合） 

4. 电子扩散流 （耗尽区中的电子扩散） 

5. 空穴扩散流 （耗尽区中的空穴扩散） 

 图1正向偏置时，SBD内部能带及载流子输运分布示意图。  

  图2展示了SBD外加反向偏置时，器件内部的能带及载流子输运机制。其中，编号1-2分别为：

 1. 热激发电流（金属一侧的电子跨过势垒进入半导体）

 2. 空间电荷区产生电流

 图2反向偏置时，SBD内部能带及载流子输运分布示意图。

 以上就是SBD基本的电流输运机制的全部内容，欢迎大家一起交流讨论！ 

参考文献：

 [1] Sze, S. & Ng, K.K.. (2006). Physics of Semiconductor Devices: Third Edition. Physics of Semiconductor Devices: Third Edition. 10.1002/9780470068328. 

[2] Baliga, B. J. (2008). Fundamentals of Power Semiconductor Devices.