基于Crosslight公司先进的半导体器件仿真设计平台，我司技术团队已成功开发出精准可靠的II类超晶格微带模型。众所周知，InAs、GaSb和InAsSb材料体系因具有极窄的有效带隙，被广泛地应用在中红外、远红外波段的光电器件领域。该模型的成功开发有助于研究人员理清影响器件有效带隙的诸多敏感参数，对追求更长波段的红外探测极具重要的理论指导意义。

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