基于Crosslight先进的半导体器件仿真设计平台，我司技术团队已开发出可靠精准的雪崩光电探测器模型，在低反向偏压下，暗电流在2.5 nA/cm2左右，随着反向偏压慢慢增加，暗电流缓慢增加，直到反向偏压增加到161 V时，器件发生雪崩击穿，造成暗电流骤增，280 nm波长的峰值响应度为0.11 A/W，仿真计算数据与实验测试数据高度吻合。同时技术团队还针对于SACM型雪崩光电探测器做了深入系统的研究，细致的研究了器件结构设计过程中的一些敏感参数对于器件性能的重要影响，获得器件关键指标与材料结构参数之间的依赖关系，找出器件的优化设计规则，对于优化器件结构和提高器件性能具有重要的理论指导意义。 相关研究成果以" Optimization strategy of 4H-SiC Separated Absorption Charge and Multiplication Avalanche Photodiode Structure for High Ultraviolet Detection Efficiency "为题被权威期刊Nanoscale Research Letters录用。

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