如图1a所示，由于2D材料(如SnS₂)不同晶面之间的表面能差异，结晶晶核通常会经历各向异性生长行为，更倾向于沿着表面能较高的(100)和(010)晶面生长，最终生长为垂直于导电基体(线-面接触)的异质结构。相反，无定形种子由于其本征的各向同性，能够有效抑制结晶晶核的各向异性生长，更倾向于沿着低表面能的(001)面平行于石墨烯基体生长。将无定形种子预键合在石墨烯基底上，在各向同性生长和牢固的预键合的协同作用下，2D纳米片的生长会受到强烈的界面限域，最终平行于导电基体进行结构重组和外延生长(面-面接触)，如图1b所示。

II A-SnS₂@G的制备及形貌分析

III A-SnS₂@G的物相及电子结构分析

图3. (a) A-SnS₂@G和SnS₂/G的(a)XRD谱图；(b)XPS Sn3d光谱；(c)XPS S2p光谱;(d)A-SnS₂@G、SnS₂/G和rGO的红外光谱；(e) A-SnS₂@G、SnS₂/G和SnS₂的拉曼光谱；(f) A-SnS₂@G和SnS₂/G的氮气吸脱附曲线；A-SnS₂@G 的(g)差分电荷密度；(h)能带结构；(i)密度态。

IV A-SnS₂@G的钠离子电池性能

图4. (a) A-SnS₂@G在扫速为0.1 mV s⁻1的CV曲线；A-SnS₂@G、SnS₂/G和SnS₂的(b) 0.2 A g⁻1的循环性能；(c)倍率性能；(d)与已报道文献比较；(e) A-SnS₂@G在不同扫速下的充放电曲线；(g) A-SnS₂@G在2.0 A g⁻1的循环性能。

V 钠离子存储动力学分析

图5. (a) 0.1-1.1 mV s⁻1扫速下的CV曲线；(b) log(i)-log(v)曲线；(c) A-SnS₂@G在扫速为1.1 mV s⁻1的电容贡献；(d) A-SnS₂@G、SnS₂/G和SnS₂的(d)电容贡献对比；(e) EIS曲线；(f)GITT曲线和(g)相应的钠离子扩散系数。

VI 储钠机制及结构稳定性分析

图6. (a-d) A-SnS₂@G的离位TEM图像；(e-g) A-SnS₂@G和SnS₂/G的原位拉曼光谱；(h-j)DFT计算A-SnS₂@G和SnS₂/G的结合能。