II 扭曲双层石墨烯(tBLG)晶体和电子结构

图2. (a)tBLG的带隙和能带范霍夫奇点的相应状态密度(DOS)的能带结构示意图；(b)tBLG的ARPES光谱; (c)具有不同扭转角的莫尔条纹的LDOS光谱; (d)不同结合能tBLG的恒定能量轮廓的叠加图；(e)扭曲角为6°和13°的tBLG的莫尔条纹，扭曲度为2.3°和5.9°的tBLG的STM图像。

III 光学性质

图6. (a)PL激发峰以θ= 11.2°，11.5°和16.3°调谐。(b)在1.26 eV激发下收集的tBLG的PL扫描图；(c)对于不同激光能量的石墨烯薄膜的线扫描结果；(d)入射光的偏振和光电流之间的关系以及上插图显示了不同的激光功率和检测到的光电流，下插图中具有不同扭曲角的样品的光电流。

IV 电学性质

图8. (a)在90至273 K温度范围内，tMLG器件温度电导率σ的变化；(b 在50 mV下测量到的间歇性开关光电流的时间变化；(c)通过在不同温度下测量的电流(左)和电阻(右)的变化来表示光响应变化；(d)具有不同扭曲角的四个tBLG域的归一化电流分布；(e)具有不同扭转角的tBLG的层间电导；(f)tBLG器件的温度相关电阻率。

V 超导性能

图9. (a)tBLG和六方氮化硼夹心器件示意图；(b)迷你布里渊区是由两个石墨烯层的两个K(或K’)波矢量之间的差构成的；(c)四探针电阻Rxx；(d)在零磁场(红色)和垂直磁场0.4 T(蓝色)中计算出的器件M1的两探针电导率；(e)电阻的温度特性。

图10. (a)Rxx与磁场B和栅极电压Vg的关系曲线；(b) 不同温度下Rxx(Vg)；(c)当密度调整到超导相时，ρ与温度的关系；(d) T = 280 mK，Vg = 0.58 V(红色)和0.50V(蓝色)时的电压-电流特性；(e) 电阻峰值的温度依赖性；(f)电阻阿伦尼乌斯图。

VI 结论