II Ga₂O₃结构性质

图2. RTA处理的示意图以及超薄异质结构薄膜的表征结果。(a)Ar和N₂气氛中5nm厚的氧化镓膜RTA的图形化方案。(b)在Ar和N₂气氛中RTA处理的氧化镓膜的拉曼谱图，(c)拉曼位移和(d)FESEM显微组织观察。(e)沉积和经RTA处理的氧化镓膜的光致发光光谱。(f)所选二维(2D)金属氮化物的Eg对比图以及本研究结果。

III 相变机理

图4. N₂掺杂Ga₂O₃薄膜的XPS和价态最大值(VBM)。(a)RTA过程导致了氧化镓膜中带隙排列的改变，其中N₂气氛中较高的RTA温度伴随着VBM的增加。(b)样品的O1 XPS分析，(c)RTA样品中Ga-O键百分比变化和氧空位。RTA样品中Ga3d(d)和N1s(e)的XPS谱图。

IV 忆阻器器件

图5. 制成的忆阻器器件的电气特性与电阻特性的特性曲线。(a)Pt/TiO₂-Ga₂O₃/Au和Pt/TiO₂-Ga₂O₃(Ar-600°C)/Au的典型I–V曲线，(b)Pt/TiO₂-Ga₂O₃(N₂-450°C)/Au，(c)Pt/TiO₂-Ga₂O₃(N₂-600°C)/Au忆阻器器件三圈循环伏安曲线。(d)Pt/TiO₂-Ga₂O₃ (N₂-600°C)/Au忆阻器器件的两个循环伏安法的对数刻度I–V特性。(e)I/V²与同一设备的I/V的对数曲线。(f)制成的异质结构忆阻器器件的ΔEc。

图6. (a)从TiO₂到Ga₂O₃(N₂)器件的电荷转移的能带示意图。(b)KPFM分析可监测Au和Pt电极之间忆阻器器件的表面电势，以了解水平形成的TiO₂-Ga₂O₃异质结构。扫描面积为1 μm²。亮的区域表示电子陷阱区域，而暗的区域表示空穴陷阱区域。(c)零偏压和HRS模式下忆阻器TiO₂薄膜的拉曼光谱。

图7. (a)Ti₃C₂T_x与吡咯聚合示意图；(b)Ti₃C₂T_x/MnO₂纳米线的横截面SEM图像和TEM图像；(c)不同样品Ti₃C₂T_x/ MnO₂纳米线的CV和GCD曲线。伤害感受器的光诱导痛觉感受行为。(a)在0.1 V偏压下ITO/TiO₂-Ga₂O₃/Au器件的光强度依赖性光响应显示了阈值和饱和特性。(b)比较各种忆阻器器件的典型光响应，显示出异质接口工程对制造的忆阻器器件的阈值和饱和特性的影响。ITO/TiO₂-Ga₂O₃(N₂-600°C)/ Au伤害感受器件在各种异质结构器件中显示出最高的阈值。(c)ITO/TiO₂-Ga₂O₃(N₂-600°C)/Au伤害感受器在35 mW/cm²脉冲激光(360 nm)照射下的弛豫特性。(d)光频率对伤害感受器放松时间的影响。(e)ITO/TiO₂-Ga₂O₃(Ar)/Au装置的异常性疼痛特征。(f)ITO/TiO₂-Ga₂O₃(Ar)/Au装置的异常性疼痛和痛觉过敏。