综  述

1 分子束外延中原位表征技术的发展

中国科学院半导体研究所赵超研究员课题组深入调研了分子束外延（MBE）中的多种原位表征技术。研究团队根据应用领域对这些原位表征技术进行了分类，详细介绍了最常用的原位表征技术，也列举了每项技术的优点和缺点。在报告中，研究团队也报道了几种在未来具备与MBE深度结合潜力或已经结合使用的原位表征技术，并指出了未来MBE材料生长的原位表征技术的发展方向。通过结合多种原位技术，研究人员能够获取互补的表征信息，从而获得对材料表面和内部的更全面理解。研究团队的调研结论表明，原位表征技术仍然有广泛的发展空间，特别是在与机器学习技术相互结合方面。已有多篇报告将原位反射式高能电子衍射（RHEED）分析与机器学习相互结合，用于分类RHEED模式并实现对材料表面状态的自动识别，显示了巨大的应用潜力。研究团队还强调，这种整合为原位表征技术的发展提供了新的途径，即通过将原位表征结果与更多的材料信息通过机器学习技术进行关联。利用基于人工智能算法在动态过程中预测和分类材料生长状态的能力，可以为理解生长机制提供有价值的见解，并在原位监测MBE材料生长过程中提供巨大的帮助。综合而言，原位表征在MBE研究中扮演着重要的角色，揭示了关于生长过程和材料性质的宝贵信息。多种表征技术的整合为材料生长过程提供了更全面和精细的分析，为深入探讨材料生长机制提供了详细的理论基础。引入和整合基于人工智能的算法为进一步提高对生长机制的理解和实现MBE过程的动态优化铺平了道路。

该文章以“Development of in situ characterization techniques in molecular beam epitaxy”为题发表在Journal of Semiconductors上。

图1. 原位表征技术在MBE中的应用。

文章信息：

Development of in situ characterization techniques in molecular beam epitaxy

Chao Shen, Wenkang Zhan, Manyang Li, Zhenyu Sun, Jian Tang, Zhaofeng Wu, Chi Xu, Bo Xu, Chao Zhao, Zhanguo Wang

J. Semicond.  2024, 45(3): 031301  doi: 10.1088/1674-4926/45/3/031301

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研究论文

2 由原子层淀积工艺制备的无需唤醒操作的Hf_0.5Zr_0.5O₂薄膜在低温电子学温度下具有可靠的铁电性

自从2011年研究人员在铪基铁电薄膜中发现了其铁电性以来，铪基铁电薄膜的研究引起了学术界和工业界的广泛关注。由于铪基铁电薄膜具有优异的CMOS工艺兼容性和厚度可微缩特性，基于铪基铁电薄膜的电子器件也具有低功耗和高速度等优势，因此铪基铁电器件在非易失存储和神经形态计算等领域有着不可忽视的潜力。在多种掺杂体系的铪基铁电薄膜中，氧化铪-氧化锆固溶体因其具有较宽的掺杂范围和相对较低的退火温度，成为后端工艺兼容的良好的铁电材料。

目前，航空航天与量子计算等领域需要在低温电子学范围（低于120 K）内可稳定工作的高性能的存储器件。一些已报道的文献均说明了铪基铁电薄膜是低温电子学范围内有潜力的竞争者之一。J. Müller等研究人员调研了Hf_0.5Zr_0.5O₂薄膜的温度相关的极化-电场(polarization-electric field，P-E)曲线，并在温度由230 K降低到80 K时观测到了由类反铁电性到铁电性的转变。M. D. Henry等研究人员首次在4 K温度下在NbN电极夹持的Hf_0.5Zr_0.5O₂薄膜中证实了铁电的极化翻转。另外，J. Hur等研究人员汇报了当温度由400 K降低至4 K时的在TiN电极夹持的Hf_0.5Zr_0.5O₂薄膜的电学特性。然而，这些研究成果均基于需要唤醒操作的铪基铁电薄膜。这些铪基铁电薄膜在未经唤醒操作前，为反铁电或铁电性较弱；而在施加了正负两方向的大量脉冲作为唤醒操作后，铁电性才得以加强。唤醒效应的原因大致可以归因于缺陷的再分布和非铁电相到铁电相的转变。唤醒操作对于实际的铁电器件来说是不利的，也在一定程度上缩小了铁电器件的使用寿命。值得注意的是，在低温条件下唤醒过程会被抑制。因此，研究无需唤醒操作的铪基铁电薄膜在低温电子学温度范围内的电学特性成为一个重要的研究课题。

复旦大学刘琦教授课题组针对在低温电子学温度下的TiN电极夹持Hf_0.5Zr_0.5O₂薄膜的铁电性和可靠性问题进行研究，以下简称为HZO电容。该Hf_0.5Zr_0.5O₂薄膜具有在室温下无需唤醒操作的优势。掠射角X射线衍射表征结果证明了该HZO薄膜中同时存在单斜相、四方相和正交相。

图1(a)和(b)分别为该HZO电容的P-E曲线和去除非极化电流的positive-up-negative-down (PUND)曲线。由图可见，当温度由室温300 K降低至30 K时，该HZO电容均具有良好稳定的铁电特性。由PUND结果得到的两倍剩余极化量(double remnant polarization, 2P_r)值基本不随温度改变，在30 K温度下为36 μC/cm²。图1(c)展示了10个任意选择的HZO电容器件的剩余极化量的统计结果，说明了实验的可靠性。图1(d)展示了HZO电容器件的中相对介电常数随着温度的变化。在300 K、200 K、130 K、77 K和30 K这五个温度下均具有典型的蝴蝶形的介电常数-电场曲线，并且随着温度的下降各个电场下的相对介电常数也下降。

图1. 不同温度下HZO电容的（a）P-E曲线和（b）PUND曲线。（c）P_r值的统计结果。（d）不同温度下HZO电容的ε_r-E曲线。

另外，HZO电容的铁电特性的温度效应与外加电场的幅值有着明显的联系。图2（a）-（c）分别展示了当外加电场幅值由2.5 MV/cm降低至1.5 MV/cm的PUND曲线。平均矫顽电场定义为|+E_c|+|−E_c|)/2，其中+E_c和−E_c分别为正负方向下极化为零时对应的电场。由图２(ｄ)所示，随着温度的降低平均矫顽电场减小，这说明在温度更低时铁电极化翻转所需的能量势垒更高[10]。当外加电场幅值为3.0 MV/cm时，平均矫顽电场由室温300 K的1.1 MV/cm增大至30 K下的1.4 MV/cm。由图2（e），当外加电场幅值为3.0 MV/cm时，HZO电容在降低温度后2P_r基本保持为36 μC/cm²；当外加电场幅值为2.5 MV/cm时，2P_r基本保持为30 μC/cm²。然而，当外加电场(1.5 MV/cm)与矫顽电场的数值相差不大时，温度降低时2P_r值则有明显的下降，由300 K时的12.5 μC/cm²降低至30 K下的2.9 μC/cm²。图2（f）总结了之前已经报道的和我们的工作中HZO电容的温度效应，灰色方框部分为低温电子学领域。在低温电子学领域，我们的工作报道了基本不变的和目前最高的2P_r值，这可以归因于较好的HZO薄膜质量和优化的HZO与电极的界面。另外，在低温环境下，HZO电容的疲劳效应也得以抑制。

图2. (a) 2.5 MV/cm， (b) 2.0 MV/cm， (c) 1.5 MV/cm下HZO电容器在不同温度下的pnd曲线。(d) 不同温度下的平均E_c值。(e) 不同温度下的2P_r值。(f) 以往报告和本工作中2P_r值与温度的关系。本工作中的2P_r值来自3.0和2.5 MV/cm下的pdd数据。字母W和P分别代表唤醒状态和原始状态。施加的电场显示在右边。

总的来说，本工作全面研究了无唤醒TiN/HZO/TiN电容器的铁电特性，包括电流、极化、相对介电常数与电场的关系和耐久性测试，研究的温度范围从室温300 K降低到30 K。本研究结果突出了HZO薄膜在低温下具有良好的铁电性和耐久性。值得注意的是，HZO薄膜的2P_r值在30 K下基本保持稳定。此外，与室温相比，HZO电容器在30 K时表现出较弱的疲劳特性，表明其具有低温环境应用的潜力。

该文章以“Reliable ferroelectricity down to cryogenic temperature in wake-up free Hf_0.5Zr_0.5O₂ thin films by thermal atomic layer deposition”为题发表在Journal of Semiconductors上。

文章信息：

Reliable ferroelectricity down to cryogenic temperature in wake-up free Hf_0.5Zr_0.5O₂ thin films by thermal atomic layer deposition

Shuyu Wu, Rongrong Cao, Hao Jiang, Yu Li, Xumeng Zhang, Yang Yang, Yan Wang, Yingfen Wei, Qi Liu

J. Semicond.  2024, 45(3): 032301  doi: 10.1088/1674-4926/45/3/032301

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3 975 nm高阶布拉格光栅多模半导体激光器

窄谱宽975 nm半导体激光器是掺镱光纤激光器的高效泵浦光源。相较于体光栅外腔结构，芯片内置光栅的半导体激光泵浦源可实现更小的泵浦体积，并提高泵浦系统的稳定性。实现半导体激光器窄谱宽输出的方式有分布反馈布拉格光栅 (Distributed Feedback Bragg Gratings DFB)和分布布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector DBR)，但是这两种方式一般使用低阶光栅（光栅阶数<10），且对光栅的曝光技术要求高，制造成本高。芯片内置光栅窄谱宽激光泵浦源亟需解决高质量低成本制造问题。

近日，中国科学院半导体研究所马骁宇研究员、刘素平研究员级高工、仲莉研究员团队研制并报道了波长975 nm的前腔面高阶布拉格衍射光栅半导体激光器。利用时域有限差分算法和散射矩阵算法确定了光栅的周期和占空比，并分析了刻蚀深度、光栅周期数等结构参数对高阶衍射光栅的透射率和反射率的影响，并将光栅的损耗引入到半导体激光器的阈值增益中，计算了光栅刻蚀深度、光栅周期数与激光器阈值增益的关系。使用干法刻蚀等技术制造了前腔面带有高阶布拉格衍射光栅的975 nm半导体激光器，最大输出功率达10.5 W，输出光谱宽度（FWHM）小于0.5 nm。为低成本批量制备窄谱宽半导体激光器提供了新思路。

该文章以题为 "975 nm multimode semiconductor lasers with high-order Bragg diffraction gratings" 发表在Journal of Semiconductors上，博士生刘振武为第一作者。

图1.（a）带有高阶布拉格衍射光栅的半导体激光器P-I-V曲线及输出光谱；（b）同一外延片制造的F-P腔半导体激光器P-I-V曲线及输出光谱。

文章信息：

975 nm multimode semiconductor lasers with high-order Bragg diffraction gratings

Zhenwu Liu, Li Zhong, Suping Liu, Xiaoyu Ma

J. Semicond.  2024, 45(3): 032401  doi: 10.1088/1674-4926/45/3/032401

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4 TCAD仿真对垂直硅基氮化镓（GaN-on-Si）沟槽MOSFET俘获效应物理机制的深入研究

垂直氮化镓（GaN）功率MOSFET这项新技术的面世，使得功率开关具有了巨大的应用潜力。由于仍处于早期开发阶段，垂直GaN器件尚未得到全面优化，需要仔细研究以促进其发展。本文报道了在开发垂直GaN-on-Si沟槽 MOSFET（TMOS）的过程中，我们通过 TCAD 仿真深入研究了器件性能改进的物理机制，提高了所采用的工艺优化方法的可靠性。具体而言，我们比较了两种不同的TMOS器件在传输曲线迟滞(H)和亚阈值斜率(SS)方面的差异，结果显示SS减少约30%，H减少约75%。模拟结果表明，器件性能的改进分别归因于边界陷阱和界面陷阱的减小。我们还进行了灵敏度分析，量化了为了最大限度地优化这两项品质因数所需要额外降低的陷阱密度。

该文章以题为“Physical insights into trapping effects on vertical GaN-on-Si trench MOSFETs from TCAD”发表在Journal of Semiconductors上。

图1. (a)伪垂直GaN-on-Si TMOS的二维示意图。(b)从栅沟中拍摄的FIB片层的TEM图像。

文章信息：

Physical insights into trapping effects on vertical GaN-on-Si trench MOSFETs from TCAD

Nicolò Zagni, Manuel Fregolent, Andrea Del Fiol, Davide Favero, Francesco Bergamin, Giovanni Verzellesi, Carlo De Santi, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni, Christian Huber, Matteo Meneghini, Paolo Pavan

J. Semicond.  2024, 45(3): 032501  doi: 10.1088/1674-4926/45/3/032501

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5 一种基于肖特基p-GaN二极管的新型OTP存储单元

目前，商业硅基GaN平台已经成功地集成了各种电子元件，如电容器、电阻、二极管和增强/耗尽型高电子迁移率晶体管等。然而，现阶段对GaN基存储器的研究十分有限，这对于在全GaN集成中提高系统的性能、效率、安全性和可靠性都至关重要。

中国科学院微电子研究所高频高压中心黄森、蒋其梦研究员课题组首次提出了一种基于肖特基型p-GaN二极管的反熔丝（anti-fuse）OTP器件，通过控制肖特基结击穿，将二极管从高阻态切换到低阻态，进而实现信息的写入，且该信息可以永久保存。

经测试，该p-GaN基OTP器件的电流比大于10³，读电压窗口为6 V，编程时间小于10^-4秒，且具有高于10⁸个读循环的稳定性，以及远远超过10年的寿命。此外，该器件的制造与商业的硅基GaN工艺平台完全兼容，这对于实现全GaN集成中的低成本只读存储器具有重要意义。

该文章以题为“A novel one-time-programmable memory unit based on Schottky-type p-GaN diode”发表在Journal of Semiconductors上。

图1. 肖特基型p-GaN二极管OTP器件的写入过程（左）；2×2 OTP存储阵列的示意图（右）。

文章信息：

A novel one-time-programmable memory unit based on Schottky-type p-GaN diode

Chao Feng, Xinyue Dai, Qimeng Jiang, Sen Huang, Jie Fan, Xinhua Wang, Xinyu Liu

J. Semicond.  2024, 45(3): 032502  doi: 10.1088/1674-4926/45/3/032502

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6 GaN深能级空穴陷阱的性质研究

得益于其较大的禁带宽度、高电子迁移率和高热导率，氮化镓（GaN）材料在功率电子器件、光电子器件、射频和无线通信以及高温高功率等领域展现出巨大的潜力，具有广阔的应用前景。然而，半导体材料中存在的陷阱会显著影响相关电子器件的导电性能和可靠性。n-GaN中的空穴陷阱会通过电导率补偿效应严重影响器件的导通特性，还会对器件的开关速度和热稳定性产生影响。因此，深入了解GaN器件中陷阱的性质对提升GaN材料质量和优化器件性能具有重要的科学和实际意义。上海科技大学邹新波教授课题组和中山大学卢星教授合作，使用光脉冲的深能级瞬态谱（ODLTS）技术，研究了n-GaN中激活能为0.75 eV的深能级空穴陷阱与载流子的相互作用行为。该陷阱在以往的研究中曾被广泛检测到，但它的时间常数特性，以及受温度和电场影响的过程仍需进一步研究。如图1所示，该空穴陷阱的发射速率（e_p），随电场强度（E）的增加而明显增强，并且符合Poole-Frenkel发射机制。图2（a）显示，电容瞬态幅值（ΔC）随填充脉冲时间（t_p）增大趋于饱和，且与t_p呈指数关系（图2（b）），表明该陷阱来源于材料中的点缺陷。该陷阱的发射和捕获速率均随温度升高而加速。同时考虑光脉冲照射过程中空穴的发射和捕获行为，陷阱浓度被确定为2.67 × 10¹⁵ cm^-3。本文中GaN材料陷阱对空穴的发射和捕获行为的研究，可有效地帮助分析器件的导通特性，也为更好地理解GaN功率和光电器件中由空穴引起的电流退化机制，构建相关的物理模型提供研究基础和设计参考。该文章以题为“Emission and capture characteristics of deep hole trap in n-GaN by optical deep level transient spectroscopy”发表在Journal of Semiconductors上。

图1. （a）陷阱H1的发射时间常数和电场之间的关系。陷阱H1的发射速率ln(e_p)与（b）E²和（c）E^1/2的关系，黑色点线为线性拟合曲线。注：e_p = 1/τ_e，τ_e是陷阱的发射时间常数。

图2. （a）归一化电容瞬态幅值随t_p的变化。（b）电容瞬态幅值随t_p呈指数变化。（c）不同温度下的捕获时间常数τ_c。

文章信息：

Emission and capture characteristics of deep hole trap in n-GaN by optical deep level transient spectroscopy

Jin Sui, Jiaxiang Chen, Haolan Qu, Yu Zhang, Xing Lu, Xinbo Zou

J. Semicond.  2024, 45(3): 032503  doi: 10.1088/1674-4926/45/3/032503

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7 直接-间接带隙Al_xGa_1−xAs晶格量子阱中激子特征

近年来，人们对半导体量子阱、量子线和量子点进行了大量的实验和理论研究。这些低维量子材料中载流子运动受到空间的限制，形成奇特量子尺寸效应，被认为是低维量子材料重要的物理特征，并广泛应用于纳米器件和量子信息技术领域。此外，量子点尺寸的减小被证明会导致能级的部分或完全量子化，这可改善量子体系的物理性质，其中激子特征已被证明对半导体的性质有重要影响。通过掺杂，直接半导体可转变为间接半导体过程，激子特征显著不同。近日，内蒙古民族大学凝聚态物理研究所孙勇、马新军课题组采用线性组合算符和幺正变换方法，研究了Al_xGa_1−xAs半导体中激子的基态结合能和基态能量。此外，还考虑了各向同性抛物势和Al浓度。分析结果表明，激子的基态结合能一直在随着 Al 浓度的增加而增加，受限强度的增大而减小。Al_xGa_1−xAs半导体会由于本身 Al 浓度的增加导致带隙能量发生变化，并且会在Al > 0.45 后，发生直接带隙半导体变为间接带隙半导体。且Al_xGa_1−xAs半导体为直接带隙半导体时，Al 浓度增加会使激子基态能量增加，Al_xGa_1−xAs半导体是间接带隙半导体时，Al 浓度升高时激子基态能量变化较小。因此，为了获得更好的半导体实际性能，建议通过调整Al浓度和本征频率来改变激子的性质。对于低维半导体材料，所得结果有望在低维半导体掺杂调节激子特征方面提供重要的理论参考。该文章以“Behavior of exciton in direct-indirect band gap Al_xGa_1−xAs crystal lattice quantum wells”为题发表在Journal of Semiconductors上。

图1. (a) 直接和间接带隙半导体中激子带隙的示意图；(b) 激子，电子，空穴与声子耦合系数与Al浓度的关系；(c) 在ω₀ = 10¹³ Hz时，激子结合能E_b，基态能量E₁和禁带宽度E_g随 Al_xGa_1−xAs晶体中Al浓度的变化。

文章信息：

Behavior of exciton in direct−indirect band gap Al_xGa_1−xAs crystal lattice quantum wells

Yong Sun, Wei Zhang, Shuang Han, Ran An, Xin-Sheng Tang, Xin-Lei Yu, Xiu-Juan Miao, Xin-Jun Ma, Xianglian, Pei-Fang Li, Cui-Lan Zhao, Zhao-Hua Ding, Jing-Lin Xiao

J. Semicond.  2024, 45(3): 032701  doi: 10.1088/1674-4926/45/3/032701

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8 利用极窄带干涉电路，在千兆赫兹门控下实现单光子探测器的光子数分辨

近年来，单光子检测（SPD）技术已广泛用于量子信息、光时域反射计、荧光测量和激光测距等领域。但是，大多数SPD只能区分光子是否存在，无法区分单个光脉冲内确切的光子数量。实现光子数分辨（PNR）方案主要有时间复用或空间复用。然而，时间复用限制了探测器的计数重复频率，空间复用则会降低信噪比。除上述方案，某些单像素SPD也具有光子数分辨能力，比如可见光光子计数器、量子点场效应晶体管、过渡边缘超导探测器、InGaAs/InP和Si雪崩光电二极管（APD）。其中，APD具有小尺寸、低成本和无需极低温制冷等优势，因此具有光子数分辨能力的高效率低噪声APD在量子密钥分发（QKD）、量子计算等研究领域具有巨大潜力。北京量子信息科学研究院袁之良团队在Journal of Semiconductors上以封面文章发表题为“GHz photon-number resolving detection with high detection efficiency and low noise by ultra-narrowband interference circuits”的文章。在雪崩早期演变过程中，APD的雪崩电流与入射光的光子数成正比。该团队利用极窄带干涉电路（UNIC），通过辨别雪崩信号的幅值，在千兆赫兹门控下实现了4个光子数的分辨率，检测效率高达45%。这种新型的读出电路可以抑制APD的电容响应，且几乎不会造成雪崩信号的失真。因此，UNIC-APD显示出优异的性能，具有较高的探测效率和较低的后脉冲。UNIC-APD的光子数分辨能力受到饱和电流的限制，在较低探测效率下（34%）分辨率可增加到5个光子。具有光子数分辨能力的高效率、低噪声和高计数GHz雪崩光电二极管将在量子信息等领域发挥重要作用。

图1. 雪崩光电二极管（APD）在雪崩早期，其雪崩电流与入射光的光子数成正比。不同的光子数目产生的雪崩电流幅值不同。图中，红色曲线代表噪声，橙绿青蓝紫依次对应1-5个光子产生的雪崩信号电压分布。白色发光曲线为红橙绿青蓝紫曲线的叠加。

文章信息：

GHz photon-number resolving detection with high detection efficiency and low noise by ultra-narrowband interference circuits

Tingting Shi, Yuanbin Fan, Zhengyu Yan, Lai Zhou, Yang Ji, Zhiliang Yuan

J. Semicond.  2024, 45(3): 032702  doi: 10.1088/1674-4926/45/3/032702

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9 基于硫化亚锡/二硒化锡和硒化亚锡/二硒化锡p-n异质结的超快和高比探测率的可见光-近红外光电探测器

二硒化锡（tin diselenide，SnSe₂）是一种n型的IV-VI族二维材料，具有原子级厚度、化学稳定和环境友好等特点，并以高迁移率和高吸收系数的优点，在微型化、低功耗和高灵敏度光电探测器领域具有重大发展潜力。然而，当前的二硒化锡光探测器仍然存在暗电流大和响应速度慢的问题，响应度和比探测率也未达到商业应用要求。基于范德华异质结具有无悬挂表面、强烈的层间耦合和超快电荷转移等独特性质，构建范德华异质结被广泛用来提升基于单一二维材料光电探测器的光响应性能。东北大学理学院周鹏宇副教授与河北工业大学电子信息工程学院范超副教授合作，引入同属IV-VI族二维材料的p型的硫化亚锡（tin mono-sulfide，SnS）和硒化亚锡（tin mono-sulfide，SnSe），通过微机械剥离法和聚二甲基硅氧烷辅助转移法制备了SnS/SnSe₂和SnSe/SnSe₂两种p−n异质结及光电探测器。在内建电场的作用下，光生载流子被有效分离，光电探测器产生了更大的光电流和响应度。此外，异质结界面的势垒区阻挡了多子的扩散，降低了光电探测器的暗电流。而异质结的快速响应速度可以归因于能带弯曲和在范德华力作用下干净的异质结界面。SnS/SnSe₂和SnSe/SnSe₂光电探测器的响应速度分别达到3.13 ms和4.74 ms，远快于二硒化锡光探测器，并且展现出更高的光电转换效率。SnS/SnSe₂和SnSe/SnSe₂光电探测器在405 nm至850 nm范围内表现出宽光谱响应特性。在405 nm激光照射下，SnS/SnSe₂和SnSe/SnSe₂光电探测器的响应度分别达到4.99 × 10³和5.91 × 10³ A∙W^-1，比探测率分别达到5.80 × 10¹²和7.03 × 10¹² cm∙Hz^1/2∙W^-1。未来，SnS/SnSe₂和SnSe/SnSe₂光电探测器将在图像采集、信息通信和光电存储等领域展现广泛应用前景。其卓越性能在高灵敏度和低能耗的需求下具有巨大发展潜力。此外，本文通过对SnS/SnSe₂和SnSe/SnSe₂异质结的深入研究，将深化对异质结性能提升机制的理解，为将来设计更高性能的光电子器件奠定基础。这一研究将推动二维光电子器件技术的发展，为光探测应用领域带来更多创新可能。该文章以题为“Visible-to-near-infrared photodetectors based on SnS/SnSe₂ and SnSe/SnSe₂ p−n heterostructures with a fast response speed and high normalized detectivity”发表在Journal of Semiconductors上。

图1. （a）不同波长下SnS/SnSe₂和SnSe/SnSe₂光电探测器的光电流-功率密度图。（b）不同波长下的瞬态光响应。（c）响应性和归一化探测率作为波长的函数。（d）不同波长下，本文器件与其他异质结构光电探测器的归一化探测率和响应时间的比较。

文章信息：

Visible-to-near-infrared photodetectors based on SnS/SnSe₂ and SnSe/SnSe₂ p−n heterostructures with a fast response speed and high normalized detectivity

Xinfa Zhu, Weishuai Duan, Xiancheng Meng, Xiyu Jia, Yonghui Zhang, Pengyu Zhou, Mengjun Wang, Hongxing Zheng, Chao Fan

J. Semicond.  2024, 45(3): 032703  doi: 10.1088/1674-4926/45/3/032703

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