图1 阵列碳纳米管的制备与表征

图2 石英基底上阵列碳纳米管晶体管的结构与射频性能

图3 高阻硅基底上阵列碳纳米管晶体管直流性能与对比

图4 高阻硅基底上阵列碳纳米管晶体管射频性能

图5 碳纳米管射频放大器

第一作者

丁力，北京大学电子系副研究员。

主要针对碳纳米管电子学中的一系列重要问题进行系统深入的研究，解决碳管器件和集成电路制备中的多项技术难点，重点突破了碳纳米管的n型接触问题；利用碳纳米管无掺杂CMOS技术制备高性能碳纳米管集成电路；研发具备THz应用潜力的射频晶体管，并实现碳管GHz频段无线传感界面系统展示等。在该领域Nature Electronics、Nature Communications等顶级期刊上发表SCI论文35篇，SCI他引约1400余次，h因子为22，单篇最高引用为126次。研究工作被Nature，Chemical Review等顶级刊物和综述正面引用；并且被ITRS（International Technology Roadmap forSemiconductors）写入2011版和2013版的ERD（Emerging Research Devices）和ERM（Emerging Research Materials）报告。部分成果获得2016年国家自然科学二等奖（排名第三），2013年教育部自然科学一等奖（排名第五），2019年电子信息领域优秀科技论文。获得2012年全国优秀博士论文提名奖和2011年北京市百篇优博奖。

通讯作者

张志勇，北京大学电子系教授，纳米器件物理与化学教育部重点实验室主任，北京大学碳基电子学研究中心副主任，电子系副主任。

主要从事碳基纳米电子学方面的研究，探索基于碳纳米管的CMOS集成电路、传感器和其他新型信息器件技术，并推进碳基信息器件技术的实用化发展。在Science, Nature electronics等学术期刊上发表SCI论文170余篇， SCI他引8000余次，H因子45。部分工作获得中国高校十大科技进展、国家自然科学二等奖、中国科学十大进展。曾入选国家万人计划-科技创新领军人才、万人计划-青年拔尖人才计划、国家基金委优秀青年科学基金。获得中国青年科技奖、茅以升北京青年科技奖。主持包括国家重点研发计划“纳米科技”重点专项课题等8项国家级、5项省部级项目。

通讯作者

彭练矛，北京大学电子系教授，中国科学院院士，北京大学电子系主任、北京碳基集成电路研究院院长，《先进功能材料》杂志顾问委员会成员，英国物理学会Fellow，北京市政协委员，上海证券交易所科技创新咨询委员会委员。

主要研究领域为碳基纳米电子学。在碳基电子器件相关材料和制备工艺的研究中做出了基础和开拓性的贡献。在Science, Nature Photonics等国际学术刊物上发表SCI收录论文400余篇，第一作者英文专著1部（High-Energy Electron Diffraction and Microscopy，牛津大学出版社），论文被引用20000余次。

获首届国家杰出青年科学基金资助。1999年被北京大学聘为教育部首批“长江学者奖励计划”特聘教授，2019年当选为中国科学院院士。从2001年起先后4次任国家“973”计划项目、国家重大科学研究计划项目、国家重点研发计划项目首席科学家，从2013年开始2次担任国家自然科学基金委员会创新研究群体负责人。项目“亚纳米碳管的稳定性研究”被选为年度中国高等学校十大科技进展（2000），入选中国基础科学研究十大新闻（2000）；“定量电子显微学方法与氧化钛纳米结构研究”获国家自然科学奖二等奖（2010）；“实现碳纳米管的高效光伏倍增效应”入选年度中国科学十大进展（2011）；“高性能碳基纳米电子器件”获高等学校科学研究优秀成果奖（科学技术）自然科学一等奖（2013）；“碳基纳米电子器件及集成”获国家自然科学奖二等奖（2016）。2009年获“全国优秀博士学位论文指导教师”称号；2013年被评为北京大学首届“十佳导师”；2015年荣获第四届首都科技盛典—推动“北京创造”的十大科技人物称号；“ 5纳米碳纳米管CMOS器件”项目被选为2017年中国高校十大科技进展。2017年获首届全国创新争先奖；2018年入选人民论坛主持评选的“优秀海归人物100人”，2018年获第三届北京市华侨华人“京华奖”，2018年获得“何梁何利基金科学与技术进步奖”。