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专家视点 l 美国杜兰大学陆欣博士：单层绝缘体的“舒勃尼科夫-德哈斯振荡”
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在低温和强磁场下，部分金属、半金属和窄带半导体的电导率随磁场变化会出现振荡的现象，被称为舒勃尼科夫-德哈斯效应（Shubnikov–de Haas effect, SdH）。 美国杜兰大学物理与工程物理系陆欣博士在最新出版的《半导体学报》2021年第6期上发表news and views文章《Magnetic quantum oscillation in a monolayer insulator》，简短评论了普林斯顿大学Wu Sanfeng教授研究组在二维单层材料二碲化钼（MoTe2）绝缘态发现的"舒勃尼科夫-德哈斯振荡"现象。Wu教授研究组发现MoTe2的电阻率随磁场振荡，类似于舒勃尼科夫-德哈斯效应。然而样品处于绝缘态，用于解释SdH效应的朗道量子化并不适用于解释绝缘态的磁场振荡。由于单层MoTe2是拓扑绝缘体，为杜绝导电边缘态的影响，Wu教授研究组采用了一个新颖的设计来制造器件，让电极不接触样品的边缘。该新发现进一步揭示了在二维单层材料、转角电子学中富含很多未知的新现象有待挖掘和研究。 Magnetic quantum oscillation in a monolayer insulator Xin Lu J. Semicond. 2021, 42(6): 060401 作者简介 陆欣， 美国杜兰大学物理与工程物理系助理教授。 2012年本科毕业于武汉大学材料物理系，2015年获国家自费留学生奖学金，2017年2月于新加坡南洋理工大学物理与应用物理系取得博士学位，主要研究二维材料单层过渡金属硫化的生长和拉曼光谱。2017年3月加入埃默里大学Ajit Srivastava教授组从事博士后工作，主要研究单光子光源和量子光学。2021年1月加入杜兰大学。 从事二维材料光学的研究，以主要作者发表研究成果于Nature Nanotechnology, Nature Materials, Nature Physics, Nano Letters, Advanced Materials 等高影响因子杂志，累计引用次数2000余次，H因子为17。
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