作者简介 

2003年在清华大学大学材料科学与工程系获得学士学位，2008年在中国科学院半导体研究所获得博士学位。2008年6月-2013年5月在新加坡国立大学从事科研工作，2013年5月回国到重庆大学光电工程学院工作，2015年4月加入西安电子科技大学微电子学院，担任正教授、博士生导师。

在高迁移率非硅材料MOSFET器件、陡峭亚阈值摆幅晶体管器以及新型非易失性晶体管方面取得了国际领先的研究成果，在国际上首次研制成功高性能锗锡CMOS以及隧穿FET器件，发明新型不定型类铁电介质和非易失存储器件。相关研究成果被Semiconductor Today等网站广泛转载。在微电子器件重要会议IEEE International Electron Devices Meeting/IEEE Symposium on VLSI Technology和IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices等微电子器件旗舰期刊发表SCI论文200多篇。获得陕西青年科技奖、电子学会优秀论文导师奖。目前为IEEE Electron Device Letters编辑。