在钙钛矿半导体光电子器件中，钙钛矿多晶薄膜的上、下两个界面通常被认为是缺陷富集的区域，对提升器件的性能有着至关重要的影响。在器件界面研究中，大多数研究工作集中在对薄膜上表/界面的研究与优化，而对于隐埋在薄膜底部的界面（称为“埋底界面”）则缺乏系统的、清晰的认知与理解，这主要是因为“埋底界面”具有非暴露的特征。同时，大多数界面研究工作也常会根据上界面的表征结果来间接推断“埋底界面”的性质，这也缺乏严谨的科学性。因此，钙钛矿多晶薄膜“埋底界面”的研究依然是钙钛矿光电子领域里的一个“黑盒子”，限制了对相关器件性能提升的理解。

鉴于此，北京大学物理学院朱瑞研究员、龚旗煌院士与英国萨里大学张伟教授合作，对“埋底界面”这一方向开展深入探索，创新地发展了多晶钙钛矿薄膜无损剥离、底面原位荧光成像等先进技术，清晰阐明了钙钛矿“埋底界面”中“微结构-化学分布-光电功能”的科学关联，明确指出了“埋底界面”处非辐射复合能量损失的主要来源，进而率先建立起多晶钙钛矿薄膜“埋底界面”的可视化研究平台。

基于对钙钛矿“埋底界面”的深入研究与认知，团队又进一步对领域内普遍采用的“异质卤化铵表面钝化技术”开展深入分析，发现这种“表面钝化技术”并不仅仅停留在薄膜的上表面，而是会自上而下地对整个多晶薄膜都带来显著的优化。因此，团队创新提出了“分子辅助微结构重构”的新机理来阐明对该技术的理解，这一结果颠覆了钙钛矿光电子领域对“表面钝化技术”机制的认知，并将为钙钛矿多晶薄膜钝化方法的发展及高效钝化分子的设计提供清晰的引导。（Advanced Materials, 2021, 33, 2006435）

图. (a)钙钛矿多晶薄膜无损剥离技术；(b)钙钛矿薄膜“埋底界面”的形貌、组分、荧光成像；(c) “埋底界面”的原位荧光成像方案。

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