J. Semicond. Volume 41, Number 6 June 2020

doi: 10.1088/1674-4926/41/6/060401

A brief review of formation energies calculation of surfaces and edges in semiconductors

Chuen-Keung Sin, Jingzhao Zhang, Kinfai Tse, Junyi Zhu

J. Semicond.  2020, 41(6): 061101

A review on performance comparison of advanced MOSFET structures below 45 nm technology node

Namrata Mendiratta, Suman Lata Tripathi

J. Semicond.  2020, 41(6): 061401

Modelling and optical response of a compressive-strained AlGaN/GaN quantum well laser diode

A. Menani, L. Dehimi, S. Dehimi, F. Pezzimenti

J. Semicond.  2020, 41(6): 062301

Strain-induced the dark current characteristics in InAs/GaSb type-II superlattice for mid-wave detector

H. J. Lee, S. Y. Ko, Y. H. Kim, J. Nah

J. Semicond.  2020, 41(6): 062302

1064 nm InGaAsP multi-junction laser power converters

Jiajing Yin, Yurun Sun, Shuzhen Yu, Yongming Zhao, Rongwei Li, Jianrong Dong

J. Semicond.  2020, 41(6): 062303

A 0.1–1.5 GHz multi-octave quadruple-stacked CMOS power amplifier

Shizhe Wei, Haifeng Wu, Qian Lin, Mingzhe Zhang

J. Semicond.  2020, 41(6): 062401

A high performance adaptive on-time controlled valley-current-mode DC–DC buck converter

Chanrong Jiang, Changchun Chai, Chenxi Han, Yintang Yang

J. Semicond.  2020, 41(6): 062402

Variation tolerance for high-speed negative capacitance FinFET SRAM bit cell

Yaqian Qian, Shushan Qiao, Rongqiang Yang

J. Semicond.  2020, 41(6): 062403

An 18-bit sigma –delta switched-capacitor modulator using 4-order single-loop CIFB architecture

Guiping Cao, Ning Dong

J. Semicond.  2020, 41(6): 062404

Mathematical analysis of organic-pass transistor using pseudo-p-OTFTs

Shagun Pal, Brijesh Kumar

J. Semicond.  2020, 41(6): 062601

Numerical study of mono-crystalline silicon solar cells with passivated emitter and rear contact configuration for the efficiency beyond 24% based on mass production technology

Peng Wang, Gaofei Li, Miao Wang, Hong Li, Jing Zheng, Liyou Yang, Yigang Chen, Dongdong Li, Linfeng Lu

J. Semicond.  2020, 41(6): 062701

Low on-resistance 1.2 kV 4H-SiC power MOSFET with R_{on, sp} of 3.4 mΩ·cm²

Qiang Liu, Qian Wang, Hao Liu, Chenxi Fei, Shiyan Li, Runhua Huang, Song Bai

J. Semicond.  2020, 41(6): 062801

doi: 10.1088/1674-4926/41/6/062801

《半导体学报》简介：

《半导体学报》是中国科学院主管、中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物，1980年创刊，首任主编是王守武院士，黄昆先生撰写了创刊号首篇论文，2009年改为全英文月刊Journal of Semiconductors（简称JOS），同年开始与IOPP英国物理学会出版社合作向全球发行。现任主编是中科院副院长、国科大校长李树深院士。

2016年，JOS被ESCI收录。

2019年，JOS入选“中国科技期刊卓越行动计划”。

“中国半导体十大研究进展”推荐与评选工作简介：

《半导体学报》在创刊四十年之际，启动实施 “中国半导体年度十大研究进展”的推荐和评选工作，记录我国半导体科学与技术研究领域的标志性成果。以我国科研院所、高校和企业等机构为第一署名单位，本年度公开发表的半导体领域研究成果均可参与评选。请推荐人或自荐人将研究成果的PDF文件发送至《半导体学报》电子邮箱：jos@semi.ac.cn，并附简要推荐理由。被推荐人须提供500字左右工作简介，阐述研究成果的学术价值和应用前景。年度十大研究进展将由评审专家委员会从候选推荐成果中投票产生，并于下一年度春节前公布。

JOSarXiv预发布平台简介：

半导体科技发展迅猛，科技论文产出数量逐年增加。JOSarXiv致力于为国内外半导体领域科研人员提供中英文科技论文免费发布和获取的平台，保障优秀科研成果首发权的认定，促进更大范围的学术交流。JOSarXiv由《半导体学报》主编李树深院士倡导建立，编辑部负责运行和管理，是国内外第一个专属半导体科技领域的论文预发布平台，提供预印本论文存缴、检索、发布和交流共享服务。

JOSarXiv于2020年1月1日正式上线（http://arxiv.jos.ac.cn/），通过《半导体学报》官网（http://www.jos.ac.cn/）亦可访问。敬请关注和投稿！

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