双光束超分辨光刻技术的发展和未来

谢大乐^1,2，艾星星³，甘棕松^1,2*

1. 华中科技大学武汉光电国家研究中心，武汉430074

2. 华中科技大学信息存储系统教育部重点实验室，武汉430074

3. 黄冈师范学院化学化工学院，黄冈438000

摘要 近年来，随着芯片制造工艺的不断提高，光刻技术发展面临着一些难题，这些难题也影响着芯片行业发展及摩尔定律的持续性。然而，当前主流的极紫外光刻技术已经接近制造极限，需要更先进的技术来突破技术瓶颈。综述了基于双光束超分辨技术的光刻技术概念，并分析了其优势和潜力，同时提出了该技术面临的挑战和可能的解决方案，指出这种新型光刻技术有望在微纳制造领域扮演重要的角色。

关键词 芯片制造；光刻技术；双光束；超分辨

（责任编辑  王微）

http://www.kjdb.org/CN/10.3981/j.issn.1000-7857.2023.06.00884