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汪炼成 2021/02/10
“根,紧握在地下;叶,相触在云里……仿佛永远分离,却又终身相依。”
——《致橡树》 舒婷
“IEDM, ISSCC, VLSI等和CES等则如同电子信息产业大树的根和叶,前者深耕技术,无声滋补后者每一次更新换代所需的养分,而后者每一代更新对更高速度计算、更高精度显示、更高密度存储等更高需求都逆向传递激励着前者在制程、器件、系统和材料方面的前沿研发和技术推进。没有前者,后者是无根之木,无源之水,无从谈起;而没有后者,前者则可能沦为纸上谈兵,望梅止渴,无从施展和落地。正所谓“根,深扎在地下;叶,繁茂在枝头”,“仿佛表面分离,实际紧密相依”。 ——汪炼成
一、IEDM, ISSCC, VLSI和CES
在集成电路和半导体领域有很多不错的国际顶级会议,最有名的则是IEDM(国际电子器件会议), ISSCC(国际固态电路会议)和VLSI(超大规模集成电路研讨会)。IEDM与ISSCC, VLSI并称集成电路领域的“奥林匹克盛会”。IEDM和ISSCC分别始于1954年,1953年,VLSI稍晚点,始于于1981年。参考威廉.肖克利发明半导体晶体管(1946年),Robert Noyce和Jack Kilby发明集成电路的时间(1956年),这些会议不可谓不源远流长,几乎从头开始一路伴随集成电路和半导体产业的发展。
同时在消费电子领域也有重要影响力展览会,最富盛名的当属CES(国际消费类电子产品展览会,International Consumer Electronics Show),号称科技产品的“风向标”,各大品牌厂商的“秀场”。CES从1967年就开始举办,1978年之后便每年开始在美国的赌城拉斯维加斯举行。很多发明,包括录音录像机(如1970年索尼 U-Matic VCR录像机)、磁带、数码相机、VCD(如1974年,激光碟片)、电子表等消费电子产品,甚至很多经典游戏,如俄罗斯方块、贪吃蛇等在大规模进入市场前,都首先在CES上亮过相。比尔盖茨在任时是CES的常客,每年都在Keynote环节发表激情澎湃的演讲。今年Keynote演讲嘉宾则有AMD炙手可热的Dr. Lisa Su,人称“苏妈”。
CES的展览历史,一定程度上呈现了消费电子产品从视觉、个人电子、网络娱乐到现在人工智能、机器人等发展的历史。而现在产品从CES展览的“王谢堂前”到飞入寻常百姓家的时间间隔则越来越短,节奏越来快了。
其他还有MWC(世界移动通信大会,Mobile World Congress),是一年一度全球最具影响力的移动通信领域的展览会。还有其他很多地域性综合或行业性展会。当然很多大品牌公司不满足于在CES或MWC与其他公司同台共舞,共享“镁光”,选择实力单飞开秀,如苹果的经典产品发布会。
“根,紧握在地下;叶,相触在云里”,“仿佛永远分离,却又终身相依”。诗人舒婷希望爱情像木棉树和橡树一样,根紧握,叶相触,一起分担和共享。而上述IEDM, ISSCC, VLSI和CES则如同电子信息产业大树的根和叶,前者深耕技术,无声滋补后者每一次更新换代所需的养分,而后者每一代更新对更高速度计算、更高精度显示、更高密度存储等更高的需求都逆向传递激励着前者在制程、器件、系统和材料方面的前沿研发和技术推进。没有前者,后者是无根之木,无源之水,无从谈起;而没有后者,前者则可能沦为纸上谈兵,望梅止渴,无从施展和落地。
正所谓“根,深扎在地下;叶,繁茂在枝头”,“仿佛表面分离,实际紧密相依”。
二、IEDM, ISSCC, VLSI:深扎地下
ISSCC,即IEEE International Solid-State Circuits Conference的缩写,国际固态电路会议,主要报道模拟电路、数字电路、电源管理、图像/MEMS以及机器学习的等集成电路设计方向前沿进展,始于1953年。
在ISSCC 60多年的历史里,众多集成电路历史上里程碑式的发明都是在此首次披露(Science, Nature不接收这类文章的),比如:
世界上第一个TTL电路 (1962年)
世界上第一个集成模拟放大器电路(1968年)
世界上第一个1kb DRAM (1970年)
世界上第一个CMOS electronic wristwatch (1971年)
世界上第一个8-bit 微处理器 (1974年)
世界上第一个32-bit微处理器(1981年)
世界上第一个1Mb的DRAM (1984年)
世界上第一个1Gb的DRAM (1995年)
世界上第一个集成 GSM transceiver (1995年)
世界上第一个GHz的微处理器 (2002)
世界上第一个多核处理器 (2005年)
VLSI,超大规模集成电路国际研讨会(Symposium on VLSI Technology and Circuits),相比IEDM和ISSCC要年轻不少,始于于1981年,每年六月中旬在日本京都、美国夏威夷轮流召开。顾名思义,主要讨论超大规模集成电路制造和设计。相比IEDM和ISSCC,VLSI多了一些集成电路制造的Workshop, 如原子层处理和选区域图案化,3D集成的低热预算掺杂等。
VLSI上中国内地第一篇论文,来自中科院半导体所的石寅研究员团队(《A direct digital frequency synthesizer with single-stage delta-sigma interpolator and current-steering DAC》)。中国内地产业界至今没有在VLSI会上发表一篇文章。我国产业界在原始创新方面,确实还有很长的路要走。
IEDM大会始于1954年,具有六十多年历史,会议地点在美国华盛顿特区和旧金山市之间轮换,是电子元器件领域的国际顶级会议,是国际著名高校、研发机构和Intel、TSMC、三星、IBM等Giant发布先进技术和最新进展的重要窗口和平台。顺便,功率半导体领域的顶级国际学术会议 IEEE ISPSD(IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)也是从IEDM会议中分离出来的。
IEDM集中在半导体元器件方面,作为一个器件研究人员,我个人关注得更多些,每年都能从这里看到学界和产业界的最前沿进展。IEDM 2020由于疫情转为线上举办, 议题囊括当下集成电路和微电子热门前沿技术和方向:Advanced Logic Technology,Memory Technology,Emerging Devices(2D materials and carbon nanotubes beyond simple CMOS transistors),(Integrated Photonics,Image Sensors, Display),Compound Semiconductor (包括Power Devices,Microwave, Millimeter Wave, and Analog Technology)。
当然Session的重心还是在先进逻辑器件方面,包括High-mobility Channel devices,3D technologies,Scaling booster,Beyond CMOS devices for low power,Future interconnect technology等延续或超越摩尔定律的可能技术方向。Memory也是重头戏,议题包括STT-MRAM,Non-Volatile Memories,Ferroelectric Memory以及前沿PCRAM/RRAM/MRAM存储技术。
IEDM连续整整一周的议程,每个session talk只有短短10分钟,确实够拼的!
今年的3个Plenary Talk分别来自 2019年刚履新IMEC CMOS部门SVP的Sri Samavedam博士、美光和三星综合技术院,Talk内容分别对应大会重心的先进逻辑沟道器件,存储和人工智能&量子计算方向。位于比利时鲁汶的IMEC是世界领先的微电子研究机构和标杆,对半导体先进工艺的研究非常有名,诸如193nm浸没式光刻,高介电常数金属、铜、低介电常数材料等。
在极紫外光刻方面,IMEC除了和ASML在2018年就建立了ASML-IMEC High-NA极紫外光刻联合实验室外,2019年和超快光学方面世界领先的KMLabs联合建立了Attolab,致力于高数值孔径EUV先进制程相关的缺陷检测、阿秒级别!(1阿秒为10-18 s, 飞秒10-15 s, 皮秒10-12s, 纳秒10-9 s) EUV-光子相互作用和光刻胶曝光机理等极紫外光刻动力学相关研究。在高数值孔径EUV光刻机和先进制程推出之前,这些前瞻研发的重要性不言而喻。
Sri Samavedam博士先后任职于Motorola, Freescale 和Global Foundry,在Global Foundry时将14nm CMOS技术引入量产,同时领导了7nm的早期开发。由具有Global Foundry等产业背景,对先进制程和ASML极紫外都非常熟悉的Sri Samavedam博士来做《Future Logic Scaling: Towards Atomic Channels and Deconstructed Chips》的Plenary Talk似乎再合适不过,报告结论是:未来十到十五年发展路线,从EUV到High-NA EUV,HNS(Hybrid Nanostructures),FS(Forksheets),BPR(Buried Power Rail),CFET(Complementary FET)的结构和工艺,从Si到2D Materials多材料探索,从2D Soc到3D Chip,EDA工具等都需要更多研究。
先进逻辑技术Session报道的内容有,Ge沟道纳米线Fin-FETs和GAA(gate-all-around)-FETs,Intel和IBM的应变SiGe纳米片和堆叠纳米片GAA-PMOSFETs,WS2等二维沟道材料器件,三维异质集成,以及来自TSMC报道的先进互连技术和材料等,如(Cu, Co, Ru, Rh, Ir),混合金属,半大马士革,双大马士革互连工艺等。不要小看这互连材料和技术,据传,老司机Intel折戟7nm就是因为在10nm工艺节点时选择的“钴”材料难产,输给了选择铜合金的TSMC。这和最早的TSMC-Intel之间Gate-first和Gate-Last之争,或者ASML浸没式193nm光刻机-尼康干式157nm F2准分子激光器光刻机之争有点像,真是步步惊心!
据笔者粗略统计,IEDM 2020上,IMEC, Intel, Samsung, TSMC和Globalfoundries分别发表了约33篇,18篇,15篇,8篇文章或报告,显示出他们在这个行业的主导地位。我国本土的芯片代工龙头中芯国际(SMIC)在IEDM上没有出现,这在当下美国封装的大背景下并不让人奇怪。但是笔者往前追溯直至2014年,IEDM也都没有SMIC的身影。感兴趣的可以查查,但我在网上确实也没有搜索到相关报道。SMIC成立已逾20年,缺席在顶级会议上和同行的交流,还是感觉比较遗憾。
IMEC,作为非营利科研机构,能在群雄环伺诸侯争霸白热化的微电子和半导体领域享有话语权,在全世界范围内引领微电子技术前沿发展,确实难能可贵!美国本土的UC Berkeley等顶尖大学,以及后来硅谷尝试建立的类似微电子研究机构,都没能做到这一点。 IMEC所在比利时是小国,微电子产业薄弱,也许正是如此,才逼迫其走出去,和前述ASML,Intel以及KMLabs等高手共舞,最后自己也跻身高手行列。IMEC的研究范畴几乎囊括了IEDM涉及到的大部分方向,并且在每个方向都做得非常出色,确实值得我们学习和借鉴。
三、CES:繁茂枝头
四、结语
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GMT+8, 2024-11-20 00:38
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