电路中已广为熟知的两端被动元件（two-terminal passive circuit elements）有电阻、电容、电感。事实上，电路中共有六个数学关系两两联系电流（i）、电压（v）、电荷（q）、磁通量（j）四个物理量：

dv =Rdi     dq =Cdv     dj =Ldi     dj =Mdq

dq =idt     dj =vdt （Faraday感应定律）

    由此可见，目前缺少联系电荷与磁通量的被动功能元—memristor，物理量memristance M 的量纲为Wb/C（韦伯/库仑）。

     从1971年Chua O L提出这个问题至今仍然未有定论。Strukov等人在2008年认为电阻开关（resistance switching）效应可以制作memristor. 他们乐观地认为memristor已经找到（The missing memristor found）。在Strukov等人建议的元件中，电荷移动变成了电流，左右不对称电荷移动形成电阻开关，此处的量纲虽然可以从韦伯/库仑变换得到，显然不是dj=Mdq关系定义的M。

    最近，Memristor怎么越看越像铁磁电体（具有一级磁电耦合效应的铁磁-铁电多重铁性体）制作的两端被动元件。然而，物质的存在（being）是制作元器件的基础...

    室温铁磁电体（强绝缘性、非半导体）在哪呢？