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Memristor-正在寻找的电路元件

已有 556 次阅读 2022-2-10 08:58 |个人分类:科学研究|系统分类:科研笔记

    电路中已广为熟知的两端被动元件(two-terminal passive circuit elements)有电阻、电容、电感。事实上,电路中共有六个数学关系两两联系电流(i)、电压(v)、电荷(q)、磁通量(j)四个物理量:


dv =Rdi     dq =Cdv     dj =Ldi     dj =Mdq

dq =idt     d=vd(Faraday感应定律)


    由此可见,目前缺少联系电荷与磁通量的被动功能元—memristor,物理量memristance 的量纲为Wb/C(韦伯/库仑)。

     从1971年Chua O L提出这个问题至今仍然未有定论。Strukov等人在2008年认为电阻开关(resistance switching)效应可以制作memristor. 他们乐观地认为memristor已经找到(The missing memristor found)。在Strukov等人建议的元件中,电荷移动变成了电流,左右不对称电荷移动形成电阻开关,此处的量纲虽然可以从韦伯/库仑变换得到,显然不是dj=Mdq关系定义的M

    最近,Memristor怎么越看越像铁磁电体(具有一级磁电耦合效应的铁磁-铁电多重铁性体)制作的两端被动元件。然而,物质的存在(being)是制作元器件的基础...

    室温铁磁电体(强绝缘性、非半导体)在哪呢?

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