亥姆霍兹罗森多夫研究中心的周生强博士获青岛国际会议奖励

德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心的周生强博士在青岛举办的2012 国际IBMM专业会议上获得优秀科研奖励。周生强博士是亥姆霍兹HZDR研究中心的青年科研家小组组长，他所研究的磁性半导体材料将有可能成为下一代的存储介质。

于9月2日至7日在中国举办的国际离子束物理大会（IBMM）是离子束物理业界的重要科学会议。离子束由高速带电粒子组成，可用于材料的全面改性或精确研究。共有约300名来自材料科学和从事离子固体相互作用物理学研究人员参加了会议。

周生强博士自2005年来到德累斯顿，起初是一名来自德累斯顿工业大学在HZDR做科研的博士生，他当时所做的工作是在氧化锌半导体材料中掺杂磁性离子。 2008年，他开始继续在磁性材料领域做博士后，主要是研究更传统的半导体材料硅和锗的性质。他主要感兴趣的是如何通过离子束技术而赋予这类材料磁性。此间他曾休假一年回到北京大学做研究员。自2011年2月之后，他开始在亥姆霍兹联合会的资助下负责一个青年科学家小组，研究功能半导体材料。周博士和他的青年科研团组不仅可以借助HZDR离子束中心自身的实验与分析设施，还能在具有国际一流条件的地处法国格勒诺布尔的欧洲同步辐射设备（ESRF）的“Rossendorf实验光束”。

周博士发表了一系列优秀论文。在一篇发表在专业杂志《物理评论》B上并得到经常引用的文章（DOI：10.1103/PhysRevB.77.035209）中，他描述了通过注入钴、镍离子后在氧化锌中形成掺杂纳米晶的特性。另一篇同样发表在《物理评论》B的文章中（DOI：10.1103/PhysRevB.75.085203），他描述了通过注入锰而在硅材料中形成磁性纳米粒子所带来的新特性。他的另一篇文章发表在应用物理快报（DOI：10.1063/1.3428770）上的文章则描述了锗掺杂锰后出现的显著空穴浓度改变。

为表彰周生强博士采用离子注入法研究半导体磁性材料所取得的细致深入的研究成果， IBMM于2012年9月6日在青岛向周博士颁发了本次国际会议奖并含奖金1000美元。

 

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