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IF:19.924！祝贺复旦大学江安全教授团队论文在Advanced Functional Materials发表！
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IF:19.924
近日，来自复旦大学的江安全教授研究团队创新性地提出了LiNbO3单晶界面上基于多级畴壁二极管的内存计算。成果以“In-Memory Computing of Multilevel Ferroelectric Domain Wall Diodes at LiNbO3 Interfaces”为题发表在顶级材料科学类期刊Advanced Functional Materials上。 该论文获理文编辑专家团队润色支持。 论文信息
论文内容简介： 非易失性存储器中的直接数据处理可以实现面积和能量效率计算，不同于单独处理和存储单元之间的独立性能；这些单元之间的重复数据传输是现代计算机的基本性能限制。铁电体中空间可移动的导电畴壁可以在漏极、栅极和源极电极之间重新定向，以作为具有优异能量效率、超快操作和通信速度以及高逻辑/存储密度的非易失性晶体管。在这里，我们演示了在LiNbO3界面使用多级畴壁二极管的内存计算。每个台面状存储单元和接触电极之间的界面层内的超薄畴可以在低操作电压下以超过107开/关比的整流二极管状畴壁电流，超过使用耗尽层内建电势的传统p-n结性能。并演示了诸如NOT、NAND和NOR门等逻辑功能，深入了解了所有铁电畴壁器件中多级存储和计算单元的高密度集成。
作者介绍
孙杰 复旦大学微电子学院博士生
作者感言
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润色编辑
Electrical and Electronic Engineering Optical Physics Engineering 1988 - MSc Optical Electronics, University of Strathclyde 1987 - BEng Electrical & Electronic Engineering, University of Strathclyde MacDonald先生是一位经验丰富的电子和电气工程信息科学家，研究生阶段的研究内容是光纤激光陀螺系统，1994年至2007年间，他一直在Thomson Scientific从事Inspec数据库学术和科技文章的索引和摘要编辑工作，专业领域包括电子学、光电子学、半导体电子学和电信学。之后，任Thomson专利分析师，为Derwent World Patent Index提供数据内容，领域覆盖电子材料和制造，半导体设备和电路及其制造商，以及包括液晶和电致发光显示器的电子显示技术。MacDonald先生擅长领域包括电子与电气工程、物理和材料科学。他从2008年起为理文编辑工作。
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