首发 “光电人生"  公众号（光电子技术和理论等）

VCSEL的最新技术，重点：

化合物半导体，如VCSEL，技术发展类似微电子。

目前大尺寸GaAs基VCSEL的问题：

GaAs/AlGaAs晶格有微小失配（尽管大家认为晶格差不多匹配），导致GaAs基VCSEL因为应变有bow，在大尺寸下非常严重，制作起来巨麻烦。

Bow示意图

为了下一代/下下代VCSEL技术，减小或者消除Bow是至关重要。所以提出了采用Ge衬底（尽管Ge有点贵）。

Ge材料的特点：

Ge的晶格常数处于GaAs和AlGaAs之间，应变小，减小了bow；Ge的Etch pit density (EPD)为0 ；Ge的机械鲁棒性好；6/8英寸Ge技术已经成熟。

晶格常数

所以Ge基VCSEL：外延后bow降低；制作良率损耗降低；EPD为0，良率提高；...（好多优点...）

2021年刚做出来的6英寸Ge基VCSEL的bow小于25微米，小于GaAs基225微米。

2种衬底VCSEL器件性：

8英寸的Ge基VCSEL将在2021的上半年问世...

下下代12英寸的VCSEL会怎么样？还是Ge吗？

Comment：

做IDM的很苦逼，要踏无数的坑，光一个外延和制作就会搞死人...

做Fabless的可以不用面对这么坑，设计提要求，交给代工厂...但是活的很爽。

...但是这是商业。