【紧接上文】

Materials Studio官方教程：DMol3——模拟电子输运【1】

4、分析输运函数

当输运计算结束后，结果将返回到Project Explorer中的HChainLi4 DMol3 Transport文件夹中。

从菜单栏中选择File | Save Project，然后选择Window | Close All。

在HChainLi4 DMol3 Transport文件夹中，双击HChainLi4.xsd。

将利用DMol3 Analysis模块对结果进行分析。

单击Modules工具条上的DMol3按钮，选择Analysis，或从菜单栏中选择Modules | DMol3 | Analysis。

打开DMol3 Analysis对话框。

从列表中选择Transmission，单击View按钮。关闭对话框。

将显示输运函数曲线。

器件的输运函数图像将在Li岛具有态的地方出现峰值。如果态在岛和电极引线上都是非局域的，则峰值将被电极加宽，而如果态在岛上是强局域的，则峰值将是尖锐的。输运函数的能量是相对于电极的最低化学势绘制的。

5、分析电流-电压特性

当电流计算结束后，结果将返回到Project Explorer中的HChainLi4 DMol3 Transport (2)文件夹中。

在HChainLi4 DMol3 Transport (2)文件夹中，双击HChainLi4.xsd。

打开DMol3 Analysis对话框，选择Current/Voltage，单击View按钮。关闭对话框。

将显示电流-电压特性曲线。

由于器件沿输运方向对称，可预计正负偏压的电流只相差一个符号。电流在漏极处测量，电压在源极处变化。所使用的惯例是，正电流表示电流从的器件电极处（测量位置）流出。

6、分析电荷密度和电势

在HChainLi4 DMol3 Transport (2)文件夹中，双击HChainLi4.xsd。

打开DMol3 Analysis对话框，选择Electron density。

在Density field下拉列表中选择Deformation density，单击Import按钮。

在HChainLi4.xsd文档中，打开Display style对话框。在Isosurface选项卡中，将Isovalue设置为0.015，将Type设置为+/-。

现在HChainLi4.xsd文档包含一个等值面，表示器件的形变密度。

在HChainLi4 DMol3 Transport (2)文件夹中双击HChainLi4.xsd文件。

打开DMol3 Analysis对话框，选择Potentials。

在Potential field下拉列表中，选择Biased electrostatic potential。在Bias potential下拉列表中选择1.0 V。

单击Import按钮，导入该区域。

势场的最佳显示方式为穿过器件的一个切片。

在Volume visualization工具条中，单击Create slice按钮：选择Parallel to A & B axis，并选择DMol3 electrostatic potential Ha*electron(-1)(1.0000 V)。

电势是以原子单位给出的，且具有接近原子的较大值。要查看器件上的电势降，需要更改色条的范围。

在Volume visualization工具条中单击Color maps按钮：将From设置为-0.05，To设置为0.05。将Spectrum更改为Blue-White-Red。

电荷密度和静电电势的区域范围均设置为定义器件的范围。该范围可以扩展，以包括在DMol计算期间创建的器件的扩展部分。

在HChainLi4.xsd文档中，打开Display Style对话框，并在Field选项卡上将A的显示范围Display range设置为0.25和0.75。

HChainLi4.xsd文档中将显示穿过器件中心的电势切片。注意电势在器件的Li岛部分下降。

本教程到此结束。

本教程对应视频将在杨站长视频号、华算科技B站同步推送，敬请各位关注。

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