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[优先权,笔记] 以“功能部件”为设计单元:以JK触发器为例的思考 (关联:延续“摩尔定律 Moore's law”)
摩尔定律: Moore's law
集成电路: integrated circuit
鳍式场效应晶体管: fin field-effect transistor, FinFET
场效应晶体管: field effect transistor; FET
自旋晶体管: spin transistor
隧道晶体管: tunnel transistor
单原子晶体管: monoatomic transistor
图1 Gordon Earle Moore, 1970. 1929-01-03 ~ 2023-03-24, 94
https://content.fortune.com/wp-content/uploads/2015/05/gordonmoore_1970_lecturing.jpg
https://fortune.com/2015/05/12/intel-gordon-moore-moores-law/
核心:
(1)采用“放大”能力为首的电子管、晶体管等,来完成算数逻辑“运算”,似乎不是最优的技术途径。
(2)更好的技术途径,应该是直接将算数逻辑“运算”能力作为设计的基本单元。亦即,直接实现“逻辑与”、“逻辑或”;“算数加”、“算数乘”等运算。
我是教本科生《电工学》的教师,不是集成电路方面的人员。
一、延续“摩尔定律 Moore's law”
https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1&ID=130521&Type=bkzyb&SubID=105141
1.1 过去主要是新材料、新工艺
双极型器件、金属氧化物半导体器件、互补金属氧化物半导体工艺、钨插塞工艺、沟槽隔离、铜互连、应力硅、高k介质和金属栅、鳍式场效应晶体管器件等。
1.2 新原理方面的探索
有:隧道场效应晶体管、电子自旋器件、磁电器件;三维集成技术等。
https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1&ID=130521&Type=bkzyb&SubID=105141
1.3 延续摩尔定律:以“功能部件”为设计单元?
过去人类发明电子管、晶体管,“放大”能力是首要的。
今天信息时代,“运算”能力是首要的。
打破过去以晶体管、电阻等为基本设计单元的习惯,改用以与非门、或非门、触发器,以及模拟运算放大器等“功能部件”为设计的优化基本单元,是今后延续摩尔定律的可能新思路。特别是晶体管正在接近其物理极限的当前。
二、[优先权,笔记] 以“功能部件”为设计单元:JK触发器
2.1 “与非门”已经完成
实际上,《多栅极场效应管可能简化“与非门”数字逻辑电路》、《用光做“算术加法”和“逻辑与”运算》和《用“压电效应”做数学运算》等已经基本上说明了这个思路。
即,直接采用“场”的作用,直接实现逻辑“与、或、非”运算。
用这些新型的“与非门”,当然可以制作成各类的数字“触发器”等功能部件。
我想做的,自然是比这个更“紧凑”的触发器。
2.2 正在思考的要点
(1)同时利用金属、半导体等,同时考虑“电场”、“载流子”传输信号的固体结构器件。
(2)不改变各类触发器等的逻辑功能和表现,而是采用“电场”、“载流子”来进行逻辑功能的技术实现。
(3)进一步,将计算机等常用的“基本功能部件”,设计成一个“紧凑”的整体。在接下来的设计中,这些“整体”功能部件,就先以前的基本元件(晶体管、电阻,等)一样使用。
也可以说,是“集成电路”内部的又一级“集成电路”。
尽管没有采用新材料、新技术,但“紧凑”设计的功能部件,相当于“等效”地提高了集成度,即延续了摩尔定律。
这类“紧凑”设计,在速度、功耗等方面不会变坏;采用“或”运算,相对意义部分克服场效应管的“短沟道效应”等。
2023-08-11,多栅极场效应管可能简化“与非门”数字逻辑电路,中国科学院,科学智慧火花
https://idea.cas.cn/zhhh/gcjskxygjs/gcjskxygjs_dzyxx/info/2023/525324.html
2024年春节之前,已经想好了这个思路。但是,2024年春季学期,根本没有时间、没有精力来完成采用该思路“数字触发器”的原型具体设计。只有五一假期,终于有几天时间思考。确有“微小”的进展,但离真正把“以‘功能部件’为设计单元的触发器”完成还很遥远。
近半年有不少精力花在以“功能部件”为设计单元的思考方面。
还是急需时间,急需精力。
2.3 我智商不够,实在没有时间,没有精力
我肯定做不出用于生产的“以‘功能部件’为设计单元的触发器”等。
我所能做的,就是从“电路实现”的角度,去探索更高效地制作触发器等。
就像 1948年肖克莱(William Bradford Shockley)只给出“结型晶体管”的直接原理。
今后估计会陆续公开相关的进一步思考。
这是一个有可能发大财的新思路。我故意公开,是为了“不发大财”:想体会一下当年居里夫妇放弃镭提炼专利权的感觉。
献给全人类!假如它真的有用的话。
参考资料:
[1] 2022-12-23,摩尔定律/Moore's law/刘力源,中国大百科全书,第三版网络版[DB/OL]
https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1&ID=130521&Type=bkzyb&SubID=105141
[2] 科普中国,2022-07-29,《大话集成电路35》FinFET之父胡正明:凭一己之力拯救摩尔定律
https://www.kepuchina.cn/article/articleinfo?business_type=100&classify=2&ar_id=106634
[3] Gordon Earle Moore. Cramming more components onto integrated circuits [J]. Electronics, 1965, 38(8): 114-117 April 19, 1965
http://cva.stanford.edu/classes/cs99s/papers/moore-crammingmorecomponents.pdf
https://hasler.ece.gatech.edu/Published_papers/Technology_overview/gordon_moore_1965_article.pdf
[4] 2022-12-30,光子模数转换/photonic analog-to-digital conversion/陈建平,中国大百科全书,第三版网络版[DB/OL]
https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1&ID=108823&Type=bkzyb&SubID=80688
[5] Computer History Museum, 2018-08-15, TOMORROW’S COMPUTERS: MORE MOORE?
https://computerhistory.org/events/tomorrows-computers-more-moore/
[6] 1948: CONCEPTION OF THE JUNCTION TRANSISTOR
WILLIAM SHOCKLEY CONCEIVES AN IMPROVED TRANSISTOR STRUCTURE BASED ON A THEORETICAL UNDERSTANDING OF THE P-N JUNCTION EFFECT.
https://www.computerhistory.org/siliconengine/conception-of-the-junction-transistor/
[7] 1951: FIRST GROWN-JUNCTION TRANSISTORS FABRICATED
GORDON TEAL GROWS LARGE SINGLE CRYSTALS OF GERMANIUM AND WORKS WITH MORGAN SPARKS TO FABRICATE AN N-P-N JUNCTION TRANSISTOR.
https://www.computerhistory.org/siliconengine/first-grown-junction-transistors-fabricated/
[8] 中国科学院科学智慧火花,杨正瓴,2023-08-11,多栅极场效应管可能简化“与非门”数字逻辑电路[EB/OL]
https://idea.cas.cn/zhhh/gcjskxygjs/gcjskxygjs_dzyxx/info/2023/525324.html
[9] 中国科学院科学智慧火花,杨正瓴,2023-12-04,用光做“算术加法”和“逻辑与”运算[EB/OL]
https://idea.cas.cn/zhhh/gcjskxygjs/gcjskxygjs_dzyxx/info/2023/525819.html
[10] 中国科学院科学智慧火花,杨正瓴,2024-01-09,用“压电效应”做数学运算[EB/OL]
https://idea.cas.cn/zhhh/gcjskxygjs/gcjskxygjs_dzyxx/info/2024/525372.html
[11] 2023-08-22,自旋晶体管/spin transistor/韩秀峰,中国大百科全书,第三版网络版[DB/OL]
https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1&ID=120921&Type=bkzyb&SubID=98995
[12] 2022-05-06,自旋场效应晶体管/spin field effect transistor/韩秀峰,中国大百科全书,第三版网络版[DB/OL]
https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1&ID=120920&Type=bkzyb&SubID=98995
[13] 2022-12-23,自旋场效应晶体管/spin field effect transistor/李京波,中国大百科全书,第三版网络版[DB/OL]
https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1&ID=130532&Type=bkzyb&SubID=105141
[14] 2023-08-29,隧道晶体管/tunnel transistor/韩伟华,中国大百科全书,第三版网络版[DB/OL]
https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1&ID=62938&Type=bkzyb&SubID=80584
[15] 2023-01-05,单原子晶体管/monoatomic transistor/韩伟华,中国大百科全书,第三版网络版[DB/OL]
https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1&ID=62936&Type=bkzyb&SubID=80584
通过电离杂质原子作为量子点进行量子输运的晶体管。
单原子晶体管开辟了未来原子级逻辑和量子电子学的发展前景。这一结果展现了结构最精确、尺度最极限的晶体管,揭示了摩尔定律发展的最终极限。
相关链接:
[1] 2025-01-04,[请教,讨论] 延续摩尔定律:以“功能部件”为设计单元? (关联:“半电路、半电磁场”集成电路)
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1467381.html
[2] 2024-01-08,[重复就是力量] 多栅极场效应管:献给全人类!
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1417141.html
[3] 2023-12-27,[笔记,请教,原创] “自然运算”有什么创新?
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1415592.html
[4] 2023-08-21,[征求意见稿] “半电路、半电磁场”电路:目标和现状
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1399839.html
[5] 2023-11-18,[小资料] 场效应晶体管 FET:短沟道效应
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1410158.html
[6] 2023-08-31,[小资料] 1949年肖克莱(William Bradford Shockley)的结型晶体管论文的引言(图片)和图片页
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401002.html
[7] 2024-01-07,[搜集,小资料] 理论计算机模型的名字
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1417022.html
[8] 2023-12-04,[展望] 计算机:“再见,晶体管。辛苦了,谢谢您!”
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1412453.html
[9] 2024-12-02,《科学网》博克第 17 年开始!(俺在科学网开始第17年)
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1462677.html
二、“半电路、半电磁场”电路
2024年春节前有约两周时间状态还可以,于是“树雄心、立壮志”,打算将该思路推进到**级别的具体设计。
但是,2024年春节后的上半年,实在没有时间,根本没有时间来具体做。只有五一假期,终于有几天时间思考。确有“微小”的进展,但离真正把“**级别的具体设计”完成还很遥远。
同组博文:
[1] 2025-01-04,电子学(1):硬件(晶体管、集成电路、等)相关博文目录
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1467362.html
[2] 2025-01-04,电子学(2):“历史、人物”相关博文目录
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1467373.html
[3] 2025-01-04,电子学(3):“教学、备课等”相关博文目录
https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1467376.html
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