壮志未酬身将死？长使咱家泪满澿。

[小资料] 分裂栅极器件（split gate, split-gate）

集成电路： integrated circuit

分裂栅极： split gate, split-gate

场效应晶体管： field effect transistor; FET

   头晕晕的。没有精力进一步搜索，只浏览了 3 篇相关论文。

   将栅极拆成 2个，是 2009年 Seyed Ebrahim Hosseini 的世界范围首创吗？

   将沟道做成多个，好像文献不少。

一、分裂栅极器件（split gate, split-gate）

图1  Dual gate SOI structure. 双栅极 SOI 结构。  2009

https://ieeexplore.ieee.org/document/5166913

图2  Typical-size VDMOSFET structure diagram: (a) PG-VDMOSFET; (b) SGE-VDMOSFET.  典型尺寸 VDMOSFET 结构图：（a）PG-VDMOSFET；（b） SGE-VDMOSFET。  2023

https://www.mdpi.com/2079-9292/12/11/2398

图3  A 40 nm split-gate NOR flash cell structure and design parameters. 一种40nm分裂栅极NOR闪存单元的结构和设计参数。  2023

https://www.mdpi.com/micromachines/micromachines-14-01753/article_deploy/html/images/micromachines-14-01753-g001.png

https://www.mdpi.com/micromachines/micromachines-14-01753/article_deploy/html/images/micromachines-14-01753-g002.png

https://www.mdpi.com/2072-666X/14/9/1753

二、真创新，真难！

参考资料：

[1] 2023-08-30，绝缘体上硅/silicon on insulator; SOI/狄增峰，中国大百科全书，第三版网络版[DB/OL]

https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1&ID=63619&Type=bkzyb&SubID=80604

[2] 2022-12-23，绝缘层上锗/germanium on insulator/狄增峰，中国大百科全书，第三版网络版[DB/OL]

https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1&ID=63625&Type=bkzyb

[3] 2023-08-01，绝缘体上硅鳍式场效应晶体管/silicon on insulator fin field effect transistor; SOI-FinFET/殷华湘，中国大百科全书，第三版网络版[DB/OL]

https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1&ID=63616&Type=bkzyb&SubID=80601

[4] 2023-06-06，绝缘体上硅薄膜/silicon on insulator; SOI/成步文

https://www.zgbk.com/ecph/words?SiteID=1&ID=130701&Type=bkzyb&SubID=105140

[5] Seyed Ebrahim Hosseini. Split Gate SOI MOSFET with Drain Dependent Bias for Short Channel Effects Reduction [C]. 2009 International Conference on Signal Processing Systems, 863-865.

doi:  10.1109/ICSPS.2009.134

https://ieeexplore.ieee.org/document/5166913

[6] Haonan Feng, Xiaowen Liang, Xiaojuan Pu, Yutang Xiang, Teng Zhang, Ying Wei, Jie Feng, Jing Sun, Dan Zhang, Yudong Li, Xuefeng Yu, Qi Guo. Total Ionizing Dose Effects of 60Co γ-Ray Radiation on Split-Gate SiC MOSFETs [J].  Electronics, 2023, 12(11): 2398.

doi:  10.3390/electronics12112398

https://www.mdpi.com/2079-9292/12/11/2398

[7] Chan-Gi Yook, Jung Nam Kim, Yoon Kim, Wonbo Shim. Design Strategies of 40 nm Split-Gate NOR Flash Memory Device for Low-Power Compute-in-Memory Applications [J]. Micromachines, 2023, 14(9): 1753.

doi:  10.3390/mi14091753

https://www.mdpi.com/2072-666X/14/9/1753

相关链接：

[1] 2023-11-19，[讨论，预测，创新] 集成电路下一个重要原创：平面化

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1410270.html

[2] 2023-11-18，[小资料] 场效应晶体管 FET：短沟道效应

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1410158.html

[3] 2023-11-17，[小资料] 场效应晶体管 FET：多材料栅极

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1410052.html

[4] 2023-11-13，[打听] 继晶体管、集成电路之后，电路重大突破会出现在哪里？

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1409521.html

[5] 2023-11-14，[打听] 哪些新型半导体器件是未来的主流？

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1409653.html

[6] 2023-11-15，[悲恸，绝望，崩溃] 创新，有时会气死人吗？（霍尔尼 Hoerni 的平面工艺 planar）

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1409771.html

[7] 2023-09-09，[小资料] FinFET（鳍式场效应晶体管 fin field effect transistor）

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1402038.html

[8] 2023-09-07，[小资料] 1966年鲍尔（Robert W. Bower）申请的 MOSFET 自对准栅极工艺专利（图片）

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401852.html

[9] 2023-09-06，[小资料] 1963年万拉斯（Frank Marion Wanlass）、萨支唐（Chih-Tang Sah）申请的CMOS专利和论文（图片）

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401741.html

[10] 2023-09-05，[小资料] 1963年霍夫施泰因（Steven R. Hofstein）、海曼（Frederic Paul Heiman）的MOS场效应管论文（部分图片）

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401577.html

[11] 2023-09-04，[小资料] 1960年阿塔拉（Martin (John) M. Atalla）、江大原（Dawon Kahng）申请的MOS场效应管专利（图片）

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401453.html

[12] 2023-09-02，[小资料] 1935年海尔（Oskar Heil）的场效应管专利（图片）

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401242.html

[13] 2023-09-01，[小资料] 1926年利林费尔德（Julius Edgar Lilienfeld）的场效应半导体专利（图片）

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1401136.html

[14] 2023-08-11，[怀旧，回顾，展望] 二极管与非门，场效应晶体管

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1398708.html

[15] 2022-09-19，[？？？] 热血沸腾之后，更是“耗尽/耗干”后的无奈（关联资料“集成电路”，诺伊斯 Robert Norton Noyce）

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1356020.html

[16] 2022-07-26，[汇报] 近十多年的时间、精力状态（欠佳）

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1348843.html

[17] 2022-09-24，《信息革命的技术源流》第三轮阅读：创新真难！

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1356669.html

[18] 2023-09-17，Zenas 公理：2023年汪波老师的《为什么芯片相关的发明最初总不受待见？》 

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1402929.html

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