[小资料] 1948年巴丁、布拉坦（Bardeen, Brattain）的点接触晶体管专利（图片）

巴丁 John Bardeen, 1908-05-23 ~ 1991-01-30

https://www.nobelprize.org/prizes/physics/1956/bardeen/facts/

布拉坦 Walter Houser Brattain,1902-02-10 ~ 1987-10-13

https://www.nobelprize.org/prizes/physics/1956/brattain/facts/

The Nobel Prize in Physics 1956

https://www.nobelprize.org/prizes/physics/1956/summary/

一、1947-12-15 第一个点接触晶体管发明

   1947-12-15 巴丁（John Bardeen）、布拉坦（Walter Houser Brattain）制作出第一只“点接触晶体管 pointcontact transistor”。1947-12-23 下午给贝尔实验室人员们做了演示。观看演示的有肖克莱，肖克莱的的上司、声学家 Fletcher，贝尔的研究室主任 Bown，此外还有提供锗样品的 Gibney，和巴丁、布拉坦在同一个实验室的 Pearson，负责接线测试的 Moore。

   巴丁、布拉坦点燃了半导体工业的星星之火。

   在美国工程技术界评出二十世纪最伟大的 20项工程技术成就“Electronics 电子技术”时间表里，《1947 First pointcontact transistor 1947年 第一个点接触晶体管》里写到：

1947 First pointcontact transistor

   John Bardeen, Walter H. Brattain, and William B. Shockley of Bell Labs discover the transistor. Brattain and Bardeen build the first pointcontact transistor, made of two gold foil contacts sitting on a germanium crystal. When electric current is applied to one contact, the germanium boosts the strength of the current flowing through the other contact. Shockley improves on the idea by building the junction transistor—"sandwiches" of N- and P-type germanium. A weak voltage applied to the middle layer modifies a current traveling across the entire "sandwich." In November 1956 the three men are awarded the Nobel Prize in physics.

1947年 第一个点接触晶体管

   贝尔实验室的 John Bardeen、Walter H.Brattain 和 William B.Shockley 发现了晶体管。巴丁和布拉坦制造了第一个点接触晶体管，由锗晶体上的两个金箔触点制成。当电流施加到一个触点时，锗提高了流过另一个触点的电流强度。肖克利通过制造结型晶体管——N型和P型锗的“三明治”来改进这一想法。施加在中间层的微弱电压会改变流经整个“三明治”的电流。1956年11月，三人被授予诺贝尔物理学奖。

http://www.greatachievements.org/?id=3956

http://www.greatachievements.org/

二、1958年巴丁、布拉坦申请的专利《Three-Electrode Circuit Element Utilizing Semiconductive Materials 利用半导体材料的三电极电路元件》

CHM, Computer History Museum

的

RESOURCES

CLASSIC SEMICONDUCTOR PAPERS AND PATENTS

里，有巴丁、布拉坦 1948-06-17申请，1950-10-03 授权的发明集成电路的专利《Three-Electrode Circuit Element Utilizing Semiconductive Materials  利用半导体材料的三电极电路元件》：

1948 - Bardeen and Brattain's transistor patent

"Three-Electrode Circuit Element Utilizing Semiconductive Materials" (U.S. Patent 2,524,035; Filed June 17, 1948)

http://s3.computerhistory.org/siliconengine/bardeen-us2524035a-patent.pdf

https://www.computerhistory.org/siliconengine/resources/

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参考资料：

[1] 童诗白. 世纪回眸:纪念晶体管的发明和由此引出的启发[J]. 电气电子教学学报, 2001, 23(3): 3-6. 2001年6月

http://www.cqvip.com/QK/98031A/200103/5280096.html

   俗语说：“人过三十五，难有大建树”。但是，晶体管发明时，巴、布、肖三人分别是39岁、45岁、37岁，都已超龄，而巴第二次获诺贝尔物理学奖所做的超导研究是在他48岁时。因此，年龄不是主要的障碍，只要我们思路正确，刻苦钻研，败而不馁，锲而不舍，善于抓住机遇，就一定会有所成就。

[2] 宋德生. 信息革命的技术源流[M]. 成都: 四川人民出版社, 1986-04.

[3] Electronics Timeline, 20th century's greatest engineering achievements

http://www.greatachievements.org/?id=3956

[4] Greatest Engineering Achievements of the 20th Century

http://www.greatachievements.org/

[5] 1948 - The first technical description of the discovery of the point-contact transistor

John Bardeen and Walter Brattain, "The Transistor, a Semi-Conductor Triode" Physical Review Vol. 74 (July 15, 1948)

http://s3.computerhistory.org/siliconengine/bandb-semi-triode.pdf  

[6] 1948 - Bardeen and Brattain's transistor patent

"Three-Electrode Circuit Element Utilizing Semiconductive Materials" (U.S. Patent 2,524,035; Filed June 17, 1948)

http://s3.computerhistory.org/siliconengine/bardeen-us2524035a-patent.pdf

[7] RESOURCES, Computer History Museum

https://www.computerhistory.org/siliconengine/resources/

[8] TIMELINE, Computer History Museum

https://www.computerhistory.org/siliconengine/timeline/

[9] 1949 - Shockley's seminal paper on P-N junction devices

Shockley, William. "The Theory of P-N Junctions in Semiconductors and P-N Junction Transistors" Bell System Technical Journal Vol. 28 No. 3 (July 1949) (Introduction only)

http://s3.computerhistory.org/siliconengine/shockley-pn-junction.pdf

[10] The Nobel Prize in Physics 1956, The Nobel Foundation

https://www.nobelprize.org/prizes/physics/1956/summary/

相关链接：

[1] 2023-08-29，[小资料] 1959年霍尔尼（Jean Amedee Hoerni）的平面工艺专利（图片）

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1400737.html

[2] 2023-08-28，[小资料] 1959年诺伊斯（Robert Norton Noyce）的集成电路专利（图片）

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1400618.html

[3] 2023-08-27，[小资料] 1959年基尔比（Jack St. Clair Kilby）的集成电路专利（图片）

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1400524.html

[4] 2022-09-19，[？？？] 热血沸腾之后，更是“耗尽/耗干”后的无奈（关联资料“集成电路”，诺伊斯 Robert Noyce）

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1356020.html

[5] 2023-08-02，[小资料] 1952年杜默（G. W. A. Dummer）提出“集成电路概念 Integrated Circuit Concept”

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1397631.html

[6] 2023-05-01，“五一”国际劳动节：真空管 → 晶体管、集成电路 → “半电路、半电磁场”电路 → ……

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1386442.html

[7] 2019-07-17，[求助] 集成电路 Integrated Circuit 当前最新技术资料？

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1189948.html

[8] 2019-07-14，有关集成电路 Integrated Circuit 的网页

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1189467.html

[9] 2019-03-17，[建议] 关于集成电路中研制可变电阻的建议

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1168144.html

[10] 2019-07-07，有关 Geoffrey W. A. Dummer 先生的网页

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1188470.html

[11] 2019-07-13，有关 Mervin Joe Kelly 先生的网页

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1189385.html

[12] 2019-07-01，[请教] 量子集成电路、量子芯片 Quantum Chip 今后30年内的实用前景？

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1187623.html

[13] 2021-08-10，[求证] ASML 腾飞的技术原因是什么？【immersion system】

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1299147.html

[14] 2022-09-24, 《信息革命的技术源流》第三轮阅读：创新真难！

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1356669.html

[15] 2023-08-21，[征求意见稿] “半电路、半电磁场”电路：目标和现状

https://blog.sciencenet.cn/blog-107667-1399839.html

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