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选区计量谱 1:W, Rh 表面台阶处的键驰豫、能量钉扎电荷极化

已有 1919 次阅读 2011-1-23 22:50 |个人分类:计量能谱|系统分类:论文交流|关键词:缺陷,表面,台阶,键,能,电子| 电子, 表面, 缺陷, 台阶

pdated 17/10/2011 by Li Lei

1.       低配位原子间短而强的键会引起芯电荷的局域电子钉扎,产生正的深能级移动;

2.       紧束缚高密度芯电子会使在价带顶部的非键电子(如碳的π电子和贵金s轨道上的半满电子)极化,产生负的浅能级移动;

3.       低配位诱导正的芯能级移动,芯能级移动的大小正比于平衡状态下的单键能;

4.       配位数越低扎钉效应产生的极化效应也越明显;

5.       量子钉扎和电荷极化相互耦合会产生新的能态和价带劈裂;

6.       由于W边缘的价带同Rh吸附原子和Ag/Pd合金相似,W可代替它们作为施主型催化剂;

7.       通过ZPS的方法可以得到,当Re吸附氧时,由于O-Re键能更强,所以芯能级会向深能级移动。

 
XPS revelation of W edges as a potential donor-type catalyst
Atomic Scale Purification of Re Surface Kink States with and without
Oxygen Chemisorption
Purified rhodium edge states: undercoordination-induced quantum
entrapment and polarization
 
                     
 

 
 



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