VASP 优化问题之Andreas 解答

叶小球 2013-5-14 04:09

题记： I am lucky to stay with Andreas Hermann for nealy five months. Today maybe the last day to stay with him. Thanks for his help, for him to share his luck to me. Light at the end of the tunnel. 1. Symmetry …………………… Analysis of symmetry for initialpositions (s ...

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VASP总能计算参数设置-摘录

叶小球 2013-5-2 02:52

1. VASP优化结构的内部过程怎样？哪些参数会影响结构优化的结果？学习从摘录开始 （1）LiH6 ThePerdew-Burke-Enzerhof (PBE) exchange–correlation functional (26), an energycutoff of 500 eV , and all-electronplane-wave basis sets within the projector augmented wave (PAW) method (27)have b ...

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赝势平面波方法-摘录

叶小球 2013-5-2 00:39

0. 平面波赝势方法II -flash学习网址 http://jpkc.hust.edu.cn/jsjkxyclsjjc/uploadfiles/04.swf 1.摘自 http://abinitio.yo2.cn/articles/%E8%BD%AC%E8%B5%9D%E5%8A%BF%E5%B9%B3%E9%9D%A2%E6%B3%A2%E5%9F%BA%E6%B3%95ppw%E7%AE%80%E4%BB%8B.html 我们通常感兴趣是形成化学键的价电子,而不是那些内壳层 ...

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关注的问题-物理+化学+计算

叶小球 2013-4-29 23:16

5 VASP里面的对称性操作 点群问题 0.4 怎样实现 HSE06 The cell with the lowest enthalpybelow ～ 90 GPa, Fddd-BaH6, isillustrated in Figure 4a.55 It iscomposed of Ba2+ cations and symmetric H3 − counteranions arranged in interwoven herringbone-typepatt ...

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VASP优化问题及访谈摘录

热度 1 叶小球 2013-4-24 23:14

问题的提出见附注。 0.Hejiangang谈优化 (1) 全局优化与局域优化 (2) 赝势与截断半径、截断能 赝势将假象的不参与成键的芯电子及核电荷产生的势当作一个假象的电荷中心产生的势来对待，价电子产生的势则用平面波来描述；增加截断能，及将芯电子产生的变化剧烈的势中 ...

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Origin 图像处理:更改图幅大小、Angstrom符号插入等

叶小球 2013-4-23 11:14

关注： 1) 软件常用功能的发挥 2) 软件功能发挥到极致 3) 绘制适合于发表文章的图片 1. Angstrom符号等插入技巧 Origin8.0 中 angstrom 符号的插入： 插入 symbol 时字体选 Batang 、 Batangche 、 @Batang 或 @Batangche；关闭symbol map，在字体选择框中 ...

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画焓差图时焓的选择-Thanks must given to Prasad

叶小球 2013-4-23 05:17

题记： “一切错误，皆有原因”。成熟的商业软件如VASP背后都有完备的理论体系做支撑，出现计算结果与实验或文献值不符的情况，一般应从参数的设置及结果数据的提取等方面找原因，不要轻易怀疑软件有bug。 1. 画焓差图时能量的选择 （1） H=E+PV ，画焓差图时应选择H， ...

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不同压力下的VASP优化与KPOINTS设置

叶小球 2013-4-16 05:39

研究高压结构时，经常需考察同一结构在不同压力下的键长、晶格参数、体积及相对能量的变化，此时需要对所研究的结构在不同压力下进行优化。在优化前务必对KPOINTS进行测试： 问题：低压下经测试使能量收敛的k点也试用于高压下的结构优化吗？ ...

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VASP+Phonopy-supercell 法计算声子谱

热度 2 叶小球 2013-4-6 08:56

1. 首先得到力FORCE_SETS，操作为： phonopy -f vasprun.xml-00* 2. 得到态密度和带结构 a. 得到态密度所需文件及操作 所需文件： mesh.conf FORCE_SETS POSCAR（扩胞前的Unitcell） 其中mesh.conf内容如下： ATOM_NAME = Sc DIM = 3 3 2 MP = 8 8 8 操作为： phonopy -p --factor ...

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