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反铁电陶瓷薄膜电容器作为能量存储的迷思

已有 4472 次阅读 2010-5-25 23:50 |个人分类:未分类|系统分类:科研笔记| ceramic, film, antiferroelectic, capacitor

电容器作为储能,首先它是一个大电容。采用的电介质具有大的介电常数,低的介电损耗,高的击穿电压,低的介-温系数。通常条件下,这些参数基本不可能同时存在。CaCuTiO系介电常数十万量级,介电损耗也大得让人咋舌,电阻小得不敢相信,简直就是接近导体的半导体,1毫米厚的试样50伏就击穿。BTO到居里温度(120摄氏度)极化大幅下降,更为要命的是,电压(场强)太小。最近做颗粒包覆,试图利用晶界氧化铝,介电常数下降太大.....。看到美国的ESTOR专利,感到有点不可理解。山穷水尽时,想到反铁电陶瓷,嘿,美国阿贡实验室做到65J/cm3储能密度。仔细核算,离ESTOR还是太远。真不知道还能不能做下去,迷茫、迷思。明天开始做反铁电陶瓷膜。

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4 吕喆 金小伟 邹涛 wliming

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