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工艺后端| 芯片设计|

Cripps RFPA chapter3: 尚鹏飞 2019-5-29 20:59; Cripps RFPA学习笔记chapter3.docx; 个人分类: 芯片设计|1302 次阅读|没有评论

Cripps RFPA Chapter2: 尚鹏飞 2019-5-29 20:58; Cripps RFPA学习笔记chapter2.docx; 个人分类: 芯片设计|1275 次阅读|没有评论

Cripps RFPA chapter1: 尚鹏飞 2019-5-29 20:57; Cripps RFPA学习笔记chapter1.docx; 个人分类: 芯片设计|1308 次阅读|没有评论

一种逻辑电平翻转delay电路: 尚鹏飞 2019-4-27 12:04; 在逻辑翻转过程中，产生RC控制的时延，实现需要的功能控制; 个人分类: 芯片设计|3255 次阅读|没有评论

LDO电路原理与设计(一): 尚鹏飞 2019-4-14 16:07; 本篇博文只介绍LDO的重要原理性概念，详细的误差放大器、功率管设计，相位补偿下节进行介绍。一、LDO的原理话不多说，直接上图：二、LDO关键性能参数 1、压降：产生额定输出电压时，减小输入电压，输出电压下降到额定输出电压98%时，输入输出压差即为dropout电压，我们希 ...; 个人分类: 芯片设计|6486 次阅读|没有评论

一种线性压控电流的产生方法: 尚鹏飞 2019-4-14 16:05; 电路通过工作在线性区的晶体管特性为受电压控制的电阻，加入电流镜晶体管的源级负反馈，达到电压线性控制电流的作用。; 个人分类: 芯片设计|1471 次阅读|没有评论

[转载]集成电路中的WPE和LOD（STI）效应: 尚鹏飞 2019-4-14 16:04; 在这里把看到的关于 WPE 和 LOD 效应的内容小结一下 WPE, 也即 Well Proximity Effect, 其原理可以参见下图: 集成电路制造过程中，在对阱作离子注入时，注入的离子与阱区周围的光刻胶发生溅射而富集在阱的边缘，因而在水平方向呈现掺杂浓度的非均一性。这会导致阱区中的 MOS 管的阈值或其他电学特性会随着晶体管与阱边 ...; 个人分类: 工艺后端|8317 次阅读|没有评论

[转载]DeepN-well工艺简介: 尚鹏飞 2019-4-14 16:02; DNW: Deep N-WELL 就是在NWELL之下还有一层N-的注入。有点象BJT里面的埋层。目的是用DNW来隔离DNW里面的PW和p-衬底，使衬底藕合噪声更小。一般在对噪声比较敏感的芯片（比如RF芯片）上会用到。逻辑芯片一般都不会有的。对于一个对衬底 r!噪声很敏感的电路，那么其周围可能产生噪声的部分自然都需要隔离起来最好。 PMOS也是 ...; 个人分类: 工艺后端|8275 次阅读|没有评论

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