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分享 [转载]集成电路中的WPE和LOD(STI)效应
2019-4-14 16:04
在这里把看到的关于 WPE 和 LOD 效应的内容小结一下 WPE, 也即 Well Proximity Effect, 其原理可以参见下图: 集成电路制造过程中, 在对阱作离子注入时,注入的离子与阱区周围的光刻胶发生溅射而富集在阱的边缘, 因而在水平方向呈现掺杂浓度的非均一性。这会导致阱区中的 MOS 管的阈值或其他电学特性会随着晶体管与阱边 ...
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分享 [转载]DeepN-well工艺简介
2019-4-14 16:02
DNW: Deep N-WELL 就是在NWELL之下还有一层N-的注入。有点象BJT里面的埋层。目的是用DNW来隔离DNW里面的PW和p-衬底,使衬底藕合噪声更小。一般在对噪声比较敏感的芯片(比如RF芯片)上会用到。逻辑芯片一般都不会有的。对于一个对衬底 r!噪声很敏感的电路,那么其周围可能产生噪声的部分自然都需要隔离起来最好。 PMOS也是 ...
个人分类: 工艺后端|786 次阅读|没有评论

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GMT+8, 2019-11-14 09:20

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