COL故事:氮氧化硅基高分辨率芯片光谱仪
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2013-1-31 14:46
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故事, 分辨率, 氧化硅, col, 光谱仪
Chinese Optics Letters编辑部
浙江大学何建军教授课题组利用SiON作为波导芯层从而获得高折射率差,并结合刻蚀衍射光栅优秀的光谱分析功能,在9mmx6mm大小的芯片上首次制成了工作于850nm附近波段的高达0.25nm波长分辨率的集成光谱仪。该研究成果将发表在Chinese Optics Letters 2013年第3期上。 芯片实验室(Lab-on-a-chip)是当前科学界的一个热门研究领域。其目标在于在一个芯片上完成传统实验室所进行的样品制备、反应、检测、分析等操作,从而实现这些操作的芯片化、集成化、自动化、低成本化和高效化。光谱仪,作为样品检测和分析的重要功能元件,若能将它芯片化将会大大增强芯片实验室的功能。针对这一前景,研究人员利用氮氧化硅波导平台,基于刻蚀衍射光栅,制作了工作于850nm附近波段的小尺寸高分辨率芯片光谱仪。 为了达到器件对于色散、分辨率、像差等性能参数的基本要求,研究人员使用三点法对光栅进行结构设计。三点法表示光栅的输出面上拥有三个零像差点,与传统的一点法和两点法相比,器件的整体像差表现得到了优化。同时,他们还建立了标量衍射模型对光场在光栅中的传播进行仿真,从而可以根据仿真结果对光栅结构进行优化,进而提高光谱分析性能。在实验制作上,首先需要解决利用等离子化学气相沉积方法进行氮氧化硅波导芯层薄膜生长的相关问题,具体涉及到折射率、厚度、均匀性等薄膜参数的控制。其次,需要优化氮氧化硅波导芯层和二氧化硅波导包层的深刻蚀工艺,获得垂直、光滑的侧壁,从而可以降低器件损耗和串扰,并提高分辨率。 当前,信号的处理工作主要还是通过电子来完成。因此,为了使芯片光谱仪更加实用,研究人员表示,下一步需要将光电探测器集成到光谱仪芯片上,将输出信号由光信号变为电信号,使得芯片实验室的实现变得更加触手可及。
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