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分享 Cripps RFPA chapter3
尚鹏飞 2019-5-29 20:59
Cripps RFPA学习笔记chapter3.docx
个人分类: 芯片设计|478 次阅读|没有评论
分享 Cripps RFPA Chapter2
尚鹏飞 2019-5-29 20:58
Cripps RFPA学习笔记chapter2.docx
个人分类: 芯片设计|451 次阅读|没有评论
分享 Cripps RFPA chapter1
尚鹏飞 2019-5-29 20:57
Cripps RFPA学习笔记chapter1.docx
个人分类: 芯片设计|433 次阅读|没有评论
分享 一种逻辑电平翻转delay电路
尚鹏飞 2019-4-27 12:04
在逻辑翻转过程中,产生RC控制的时延,实现需要的功能控制
个人分类: 芯片设计|551 次阅读|没有评论
分享 LDO电路原理与设计(一)
尚鹏飞 2019-4-14 16:07
本篇博文只介绍LDO的重要原理性概念,详细的误差放大器、功率管设计,相位补偿下节进行介绍。 一、LDO的原理 话不多说,直接上图 : 二、LDO关键性能参数 1、压降: 产生额定输出电压时,减小输入电压,输出电压下降到额定输出电压98%时,输入输出压差即为dropout电压,我们希 ...
个人分类: 芯片设计|729 次阅读|没有评论
分享 一种线性压控电流的产生方法
尚鹏飞 2019-4-14 16:05
电路通过工作在线性区的晶体管特性为受电压控制的电阻,加入电流镜晶体管的源级负反馈,达到电压线性控制电流的作用。
个人分类: 芯片设计|559 次阅读|没有评论
分享 [转载]集成电路中的WPE和LOD(STI)效应
尚鹏飞 2019-4-14 16:04
在这里把看到的关于 WPE 和 LOD 效应的内容小结一下 WPE, 也即 Well Proximity Effect, 其原理可以参见下图: 集成电路制造过程中, 在对阱作离子注入时,注入的离子与阱区周围的光刻胶发生溅射而富集在阱的边缘, 因而在水平方向呈现掺杂浓度的非均一性。这会导致阱区中的 MOS 管的阈值或其他电学特性会随着晶体管与阱边 ...
个人分类: 工艺后端|560 次阅读|没有评论
分享 [转载]DeepN-well工艺简介
尚鹏飞 2019-4-14 16:02
DNW: Deep N-WELL 就是在NWELL之下还有一层N-的注入。有点象BJT里面的埋层。目的是用DNW来隔离DNW里面的PW和p-衬底,使衬底藕合噪声更小。一般在对噪声比较敏感的芯片(比如RF芯片)上会用到。逻辑芯片一般都不会有的。对于一个对衬底 r!噪声很敏感的电路,那么其周围可能产生噪声的部分自然都需要隔离起来最好。 PMOS也是 ...
个人分类: 工艺后端|707 次阅读|没有评论

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GMT+8, 2019-10-18 19:22

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