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选区计量谱3：同质吸附“钮扣”原子的电子能态和键结构
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挑战：与低配位原子相连的键以及局域电子结构决定缺陷和表面特性以及在生长，反应，焊接，摩擦，腐蚀等的应用
困难：历史性盲点，超过现有的扫描隧道（面）和光电能谱（体与表面）技术的测定范围
原理：光电能谱测定的芯能级相对于孤立原子能级（先通过解谱确定）的移动正比于单键能或反比于键长（固体能带论）
方法：表面处理（吸附，缺陷或台阶形成）前后所收集的能谱之差即可分离吸附（谱峰）和表面块体（谱谷）的信息（ZPS,美国专利）
结果1：低配位Pt和Re原子造成峰谷深移,意味吸附子与表面金属键变短且强
结果2：低配位Rh和W原子造成峰谷深移的同时,新峰呈现在峰谷之上，表明吸附子同时也成为偶极子（具有选择性）
发现： 与BOLS理论和非键电子边界极化理论预测吻合：键序缺失造成局域键收缩，能量和电荷的量子钉扎，致密和极化。
意义1：低配位Pt和Rh原子分别被鉴定为受主和施主型催化剂；由此判据，可以发现和设计新的便宜的替代催化剂。
意义２：ZPS可补偿扫描隧道和光电能谱技术，测定表层键与电子动态信息，可能为表面和缺陷科学带来革命性进展。
1. Adatoms-Induced Local Bond Contraction, Quantum Entrapment, and ChargePolarization at Pt and Rh Surfaces
2. Purified rhodium edge states: undercoordination-induced quantum
entrapment and polarization
3.Atomic Scale Purification of Re Surface Kink States with and without
Oxygen Chemisorption
4. XPS revelation of W edges as a potential donor-type catalyst
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