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随着半导体器件的小型化，半导体界面的接触性质对器件整体性能的影响越来越显著。在二维过渡金属硫族化合物（TMDs）半导体上沉积金属电极通常会导致高接触电阻，限制了器件的小型化应用（短沟道器件）。

研究发现，如果采用相工程制备方法，用TMDs的金属性相（如1T-MoS₂、1T’-MoTe₂）代替普通金属电极，与TMDs的半导体相（如2H-MoS₂、2H-MoTe₂）形成相界接触，可以有效地降低接触电阻。实际上，这是目前唯一报道的能够降低二维半导体接触电阻从而满足ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors) 标准的有效方案(Nat. Mater. 2015; 14: 1195-205)。

然而问题在于，这背后的理论依据是什么？决定金属—半导体TMDs相界接触性质的主要因素是什么？应该合成什么样的相界来进一步改善接触电阻？ 

回答这些问题可为相工程方法优化相界提供依据。虽然众所周知，相界的性质取决于原子结构，包括相界化学键合方式、有无杂质、晶畴的相对倾转角等，但是由于相界的尺寸十分微小，从实验上直接揭示相界接触性质对原子结构的依赖关系，并不容易。

(a) 1T’/2H-MoTe₂相界的原子结构，相界倾角θ=23°；(b)多种倾角相界的等离激元震荡能量红移。大倾角相界处(5°<θ<55°)能量移动显著

近日，北京大学高鹏、叶堉研究员与北京科技大学王海成副教授等团队合作，在原子尺度上揭示了1T’/2H-MoTe₂相界的接触性质。他们制备了包含不同转角的1T’/2H-MoTe₂平面内金属—半导体接触异相结构，利用球差矫正扫描透射电子显微镜和快电子能量损失谱，发现相界的接触性质依赖于界面两侧晶畴的相对倾转角。等离激元震荡能量损失峰在大倾角相界处向低能移动0.3 eV–1.2 eV，而在0°倾角相界处却没有明显的能量改变，意味着0°倾角相界有更强的化学键和更好的接触性质。

研究人员还发现，MoTe₂的特征能量损失谱在界面附近的2个2H相晶胞内，展现出了1T’相的特征，说明相界处的1T’相的电子态会对2H相产生影响，且作用距离只存在于2个晶胞长度内。 

该研究在原子尺度上揭示了二维共面TMDs金属—半导体的接触性质，对基于相界工程的低维电子器件设计和接触电阻调控具有指导意义。相关研究成果以“Correlating the electronic structures of metallic/semiconducting MoTe₂ interface to its atomic structures”为题发表于《国家科学评论》(National Science Review, NSR)。北京大学和北京科技大学联合培养研究生韩博为论文第一作者，高鹏研究员、叶堉研究员和王海成副教授为通讯作者。

论文链接：https://doi.org/10.1093/nsr/nwaa087