功能陶瓷薄膜被广泛用于压电铁电器件、计算机芯片等重要电子设备。随着电子设备日益追求轻便和柔性化，传统基于硅片的薄膜加工体系已经难以满足需求。为此，更多的工艺开始以保证薄膜质量为前提，尝试实现薄膜与生长基底的分离，例如湿法刻蚀、激光刻蚀等。这样做的目的是以获取自支撑氧化物薄膜，从而最大可能地提升器件柔性性能，并为后续的器件集成提供更高的自由度。然而，这些刻蚀工艺的基础成本和技术门槛都很高，并且很可能对薄膜和基底界面造成不可逆的损害。这就使得功能陶瓷薄膜难以像有机材料那样被广泛用于柔性电子设备。那么，有没有一种方法，完全无需刻蚀，也不需要破坏材料本身，就能够轻松打开陶瓷薄膜和生长基底之间的界面，从而得到自支撑陶瓷薄膜呢？这个想法显然难以实现，因为外延生长的陶瓷薄膜通常和基底之间为共价键连接，强度远远大于范德华力，二维材料研究中常见的机械剥离等范德华转移法无法适用于陶瓷薄膜。

最后，研究人员对这项工艺进行了生命周期评估，对比传统的干法刻蚀工艺，计算得到水滴剥离法的能量消耗和二氧化碳排放当量仅为干法刻蚀的37%左右(仅考虑基底去除过程)，验证了该方法的环境友好性。