一、项目概况：

    磁控电抗器(Magnetically Controllable Reactor，MCR)是一种电抗值可以连续调节的电抗器。磁控电抗器通过连续调节闭环铁芯上直流线圈中直流电流的大小，连续调节闭环铁芯的饱和程度，实现连续调节闭环铁芯上交流线圈（电抗线圈）电抗值的大小。磁控电抗器与电容器并联，连续调节磁控电抗器电抗值，可连续调节电力系统无功潮流，可应用于电力系统无功功率需要频繁调节的场合。

现有磁控电抗器存在以下主要缺点：（1）现有磁控电抗器存在有界不确定现象，无功电流峰值不稳定。无功电流峰值的数秒平均值是稳定的，但无功电流峰值的20毫秒平均值，不论什么时间测量总是不稳定，峰值变化达6%。（2）现有磁控电抗器的暂态响应时间较长；没有超量激励的暂态响应时间约2.5秒。采用超量激励控制技术以后，只能在最大值与最小值这两种特殊状态跳跃时实现20毫秒暂态过程。不能实现磁控电抗器任意两点电抗值之间调节，都可实现较短暂态过程。（3）高次谐波占比3%。

新型磁控电抗器特点：（1）新型磁控电抗器克服了有界不确定现象，无功电流峰值稳定。（2）新型磁控电抗器的暂态响应时间较短；没有超量激励的暂态响应时间约0.12秒。采用3倍超量激励控制技术以后，不论是小电流调节到大电流，还是大电流调节到小电流，新型磁控电抗器任意不同电抗值的调节暂态响应时间都小于30毫秒。（3）高次谐波占比1%。

二、新型磁控电抗器结构：

新型磁控电抗器单相主体结构与接线如图1所示。端子1、2分别为磁控电抗器两端子，3为铁芯，4为控制电路，L1、L2、L3、L4、L5、L6分别为线圈， D1、D2分别为晶闸管，D4为二极管，D5为大功率稳压管,IGBT是全控型电力电子器件（IGBT也可用晶闸管代替）。控制电路4连续调节晶闸管D1、D2触发角的大小，可连续调节磁控电抗器电抗值的大小。线圈L1、L2、L3、L4匝数相等。线圈L5、L6匝数相等。线圈L5、L6匝数比线圈L3、L4少（或多）4%。线圈L5、L6导线截面积等于线圈L1、L2、L3、L4导线截面积的一半(或2/3)。

新型磁控电抗器采用两项新技术（1）利用同一铁心柱上两个线圈中相反的直流暂态过程的对冲作用，加快磁控电抗器小电流调节到大电流的响应速度。（2）利用续流二极管回路中的去磁电路加快磁控电抗器大电流调节到小电流的响应速度。

新型磁控电抗器没有采用超量激励时的无功电流暂态过程如图2所示。

                                                       新型磁控电抗器主接线图

主要指标：

   不论是小电流调节到大电流，还是大电流调节到小电流，新型磁控电抗器任意不同电抗值的调节暂态响应时间都小于30毫秒。（暂态响应时间既符合磁控电抗器技术规程定义，也符合自动控制理论定义）