物理学和天文学教授Wai-Lun Chan和Hui Zhao领导的堪萨斯大学的两个物理研究小组，将最近发现的二维（2D）半导体二硫化钼（MoS2）的单原子层结合，有效地从有机半导体中产生了自由电子。

引入的二维层允许电子从“空穴”中逃逸并自由移动。这一发现刚刚发表在《美国化学学会杂志》上。这项技术将大大降低制造电子设备的成本，并使新的方法将它们融入我们的日常生活。

Breakthrough material could lead to cheaper, more widespread solar panels and electronics

https://www.sciencedaily.com/releases/2019/07/190716103359.htm

Journal Reference:

1. Tika R. Kafle, Bhupal Kattel, Peng Yao, Peymon Zereshki, Hui Zhao, Wai-Lun Chan. Effect of the Interfacial Energy Landscape on Photoinduced Charge Generation at the ZnPc/MoS2 Interface. Journal of the American Chemical Society, 2019; DOI: 10.1021/jacs.9b05893