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[转载]集成电路中的WPE和LOD(STI)效应

已有 296 次阅读 2019-4-14 16:04 |个人分类:工艺后端|系统分类:科研笔记|文章来源:转载

在这里把看到的关于 WPE 和 LOD 效应的内容小结一下

WPE, 也即 Well Proximity Effect, 其原理可以参见下图: 集成电路制造过程中, 在对阱作离子注入时,注入的离子与阱区周围的光刻胶发生溅射而富集在阱的边缘, 因而在水平方向呈现掺杂浓度的非均一性。这会导致阱区中的 MOS 管的阈值或其他电学特性会随着晶体管与阱边缘的距离而发生变化, 这一特性就称为 well proximity effect.

WPE - well proximity effect

LOD ( Length Of Diffusion) Effect, 也称为  STI stress effect,顾名思义,就是在有源区外的 STI 隔离会对其带来应力作用(如下图中所示),从而影响晶体管的迁移率和阈值电压,因而导致不同的有源区的长度(SA+L+SB)的 MOSFET 的电学特性存在差异。

所以对于需要进行匹配的晶体管,等间隔排布会使管子受STI效应影响一致,增加了匹配度。源漏复用的接法虽然降低了面积,但是受STI效应影响,匹配变差。

针对多finger晶体管,由于公用有源区,每个晶体管受STI应力影响导致环境不一致。其匹配度不如单finger晶体管,这也是面积和匹配的tradeoff

LOD effect

转自:http://rt2innocence.net/integrated-circuit/wpe-and-lod-effect/




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