在这里把看到的关于 WPE 和 LOD 效应的内容小结一下

WPE, 也即 Well Proximity Effect, 其原理可以参见下图: 集成电路制造过程中， 在对阱作离子注入时，注入的离子与阱区周围的光刻胶发生溅射而富集在阱的边缘， 因而在水平方向呈现掺杂浓度的非均一性。这会导致阱区中的 MOS 管的阈值或其他电学特性会随着晶体管与阱边缘的距离而发生变化， 这一特性就称为 well proximity effect.

LOD ( Length Of Diffusion) Effect， 也称为  STI stress effect，顾名思义，就是在有源区外的 STI 隔离会对其带来应力作用（如下图中所示），从而影响晶体管的迁移率和阈值电压，因而导致不同的有源区的长度（SA+L+SB）的 MOSFET 的电学特性存在差异。

所以对于需要进行匹配的晶体管，等间隔排布会使管子受STI效应影响一致，增加了匹配度。源漏复用的接法虽然降低了面积，但是受STI效应影响，匹配变差。

针对多finger晶体管，由于公用有源区，每个晶体管受STI应力影响导致环境不一致。其匹配度不如单finger晶体管，这也是面积和匹配的tradeoff

转自：http://rt2innocence.net/integrated-circuit/wpe-and-lod-effect/