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[转载]DeepN-well工艺简介

已有 350 次阅读 2019-4-14 16:02 |个人分类:工艺后端|系统分类:科研笔记|文章来源:转载

DNW: Deep N-WELL 就是在NWELL之下还有一层N-的注入。有点象BJT里面的埋层。目的是用DNW来隔离DNW里面的PW和p-衬底,使衬底藕合噪声更小。一般在对噪声比较敏感的芯片(比如RF芯片)上会用到。逻辑芯片一般都不会有的。对于一个对衬底 r!噪声很敏感的电路,那么其周围可能产生噪声的部分自然都需要隔离起来最好。 PMOS也是一样。NWELL是可以隔离,那么下面再有一个DNW也没啥不好的。而且,如果PMOS放到DNW外面,设计规则上还有很多麻烦,因为DNW是需要用NW环绕的

DeepN-well工艺简介




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