J. Semicond. Volume 41, Number 7 July 2020

Ohmic contacts for atomically-thin transition metal dichalcogenide semiconductors

Ning Wang

J. Semicond.  2020, 41(7): 070401

Controlling spins in silicon quantum dots

Haiou Li, Xin Zhang, Guoping Guo

J. Semicond.  2020, 41(7): 070402

Preface to the Special Issue on Quantum Transport in Mesoscopic Systems

Yu Ye, Zheng Han

J. Semicond.  2020, 41(7): 070101

doi: 10.1088/1674-4926/41/7/070101

Contact engineering for two-dimensional semiconductors

Peng Zhang, Yiwei Zhang, Yi Wei, Huaning Jiang, Xingguo Wang, Yongji Gong

J. Semicond.  2020, 41(7): 071901

doi: 10.1088/1674-4926/41/7/071901

Growth of large-scale two-dimensional insulator Na₂Ta₄O₁₁ through chemical vapor deposition

Yuanyuan Jin, Huimin Li, Song Liu

J. Semicond.  2020, 41(7): 072901

Metal–insulator transition in few-layered GaTe transistors

Xiuxin Xia, Xiaoxi Li, Hanwen Wang

J. Semicond.  2020, 41(7): 072902

Mn doping effects on the gate-tunable transport properties of Cd₃As₂ films epitaxied on GaAs

Hailong Wang, Jialin Ma, Qiqi Wei, Jianhua Zhao

J. Semicond.  2020, 41(7): 072903

Charge transport and quantum confinement in MoS₂ dual-gated transistors

Fuyou Liao, Hongjuan Wang, Xiaojiao Guo, Zhongxun Guo, Ling Tong, Antoine Riaud, Yaochen Sheng, Lin Chen, Qingqing Sun, Peng Zhou, David Wei Zhang, Yang Chai, Xiangwei Jiang, Yan Liu, Wenzhong Bao

J. Semicond.  2020, 41(7): 072904

Gate-regulated transition temperatures for electron hopping behaviours in silicon junctionless nanowire transistors

Xinyu Wu, Weihua Han, Xiaosong Zhao, Yangyan Guo, Xiaodi Zhang, Fuhua Yang

J. Semicond.  2020, 41(7): 072905

Non-volatile optical memory in vertical van der Waals heterostructures

Siyu Zhou, Bo Peng

J. Semicond.  2020, 41(7): 072906

Graphene plasmonic nanoresonators/graphene heterostructures for efficient room-temperature infrared photodetection

Tian Sun, Weiliang Ma, Donghua Liu, Xiaozhi Bao, Babar Shabbir, Jian Yuan, Shaojuan Li, Dacheng Wei, Qiaoliang Bao

J. Semicond.  2020, 41(7): 072907

《半导体学报》简介：

《半导体学报》是中国科学院主管、中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物，1980年创刊，首任主编是王守武院士，黄昆先生撰写了创刊号首篇论文，2009年改为全英文月刊Journal of Semiconductors（简称JOS），同年开始与IOPP英国物理学会出版社合作向全球发行。现任主编是中科院副院长、国科大校长李树深院士。

2016年，JOS被ESCI收录。

2019年，JOS入选“中国科技期刊卓越行动计划”。

“中国半导体十大研究进展”推荐与评选工作简介：

《半导体学报》在创刊四十年之际，启动实施 “中国半导体年度十大研究进展”的推荐和评选工作，记录我国半导体科学与技术研究领域的标志性成果。以我国科研院所、高校和企业等机构为第一署名单位，本年度公开发表的半导体领域研究成果均可参与评选。请推荐人或自荐人将研究成果的PDF文件发送至《半导体学报》电子邮箱：jos@semi.ac.cn，并附简要推荐理由。被推荐人须提供500字左右工作简介，阐述研究成果的学术价值和应用前景。年度十大研究进展将由评审专家委员会从候选推荐成果中投票产生，并于下一年度春节前公布。

JOSarXiv预发布平台简介：

半导体科技发展迅猛，科技论文产出数量逐年增加。JOSarXiv致力于为国内外半导体领域科研人员提供中英文科技论文免费发布和获取的平台，保障优秀科研成果首发权的认定，促进更大范围的学术交流。JOSarXiv由《半导体学报》主编李树深院士倡导建立，编辑部负责运行和管理，是国内外第一个专属半导体科技领域的论文预发布平台，提供预印本论文存缴、检索、发布和交流共享服务。

JOSarXiv于2020年1月1日正式上线（http://arxiv.jos.ac.cn/），通过《半导体学报》官网（http://www.jos.ac.cn/）亦可访问。敬请关注和投稿！

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