4H-SiC功率肖特基二极管可靠性研究进展

张玉明，袁昊，汤晓燕，宋庆文，何艳静，李东洵，白志强

摘要 4H-SiC功率器件作为一种宽禁带半导体器件，凭借突出的材料优势具有耐压高、导通电阻低、散热好等优势。近年来随着器件的逐步商用，器件的可靠性问题成为新的研究热点。综述了本课题组近期在4H-SiC功率二极管可靠性方面的研究进展，通过高温存储和高压反偏可靠性问题的研究，分析了器件性能退化机制。通过重复雪崩可靠性问题的研究，提出了一种可有效提升器件抗重复雪崩能力的终端方案。

关键词 4H-SiC；二极管；MOSFET

（责任编辑  王志敏）

http://www.kjdb.org/CN/Y2021/V39/I14/63