科技导报分享 http://blog.sciencenet.cn/u/kejidaobao

博文

高压大功率碳化硅电力电子器件研制进展

已有 126 次阅读 2021-9-18 14:06 |系统分类:论文交流

高压大功率碳化硅电力电子器件研制进展

柏松,李士颜,杨晓磊,费晨曦,刘奥,黄润华,杨勇

中国电子科技集团公司第五十五研究所,宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室,南京210016

摘要 碳化硅电力电子器件已经成为国内外研究和产业化热点,在一些应用领域正在逐步取代硅基电力电子器件。概述了碳化硅材料和器件的特性,即具有高工作电压、高效率、高工作温度等优势。综述了国际上碳化硅电力电子器件技术的发展现状,其中中低压器件发展已逐渐成熟,高击穿电压器件研究成果展现出由碳化硅材料特性预测的性能优势。展示了宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室在该领域取得的最新技术进展,建立了600~3300 V碳化硅肖特基二极管和MOSFET产品技术,研制出国际先进水平的高压碳化硅MOS⁃FET和IGBT。

关键词 碳化硅;电力电子;MOSFET;IGBT

(责任编辑  王志敏)

http://www.kjdb.org/CN/Y2021/V39/I14/56



http://blog.sciencenet.cn/blog-336909-1304741.html

上一篇:第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状
下一篇:4H-SiC功率肖特基二极管可靠性研究进展

0

该博文允许注册用户评论 请点击登录 评论 (0 个评论)

数据加载中...

Archiver|手机版|科学网 ( 京ICP备07017567号-12 )

GMT+8, 2021-10-23 22:43

Powered by ScienceNet.cn

Copyright © 2007- 中国科学报社

返回顶部